隨著以SiC與GaN為主的第三代半導體應用逐漸落地,被視為第四代之超寬禁帶氧化鎵(Ga2O3)和鉆石等新一代材料,成為下一波矚目焦點,特別是G
現在碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 產品都在市場上產生影響,很容易認為硅 (Si) 在電力電子產品中不再占有一席之地。
我們經常看到有關計算機系統被黑客入侵、某某CPU被爆出漏洞等的文章。那么有哪些最佳實踐可以讓您的新的或現有的電子系統更能抵御攻擊,并且不易受到攻擊?
真正的下一代3D芯片堆疊可能就在眼前
現代微處理器是世界上最復雜的系統之一
在本文中,我們將討論 PUF( physically unclonable functions) 物理不可克隆功能,以及它如何提高 IC 的硬件安全性。
SiC 正在被應用到功率更高、電壓更高的設計中,比如電動汽車(EV) 的馬達驅動器、電動汽車快速充電樁、車載和非車載充電器、風能和太陽能逆變器和工控電源。
為了實現1nm工藝或更小的邏輯器件,BEOL(多層布線工藝)中的關鍵布線層被認為有必要引入新材料
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