目前市場上有些CPU為了增加高速緩存能效，直接增加SRAM的帶寬和容量，這樣的方式會增加非常高的成本。為了節省成本，廠商會使用相對成熟制
閱讀本文，可以了解氮化鎵(GaN) 高電子遷移率晶體管(HEMT) 以及它們如何用于LiDAR（光探測和測距）應用。
十多年來，德州儀器 (TI) 的 Power Stage Designer? 工具一直是一款出色的設計工具，可協助電氣工程師計算不同電源拓撲的電流和電壓
氮化鎵正取代硅，越來越多地用于需要更大功率密度和更高能效的應用中作為提供不間斷連接的關鍵，許多數據中心依賴于日益流行的半導體技術來
電子電路中的電流通常必須受到限制。例如，在USB端口中，必須防止電流過大，以便為電路提供可靠的保護。同樣，在充電寶中，必須防止電池放
相比傳統的系統級芯片（SoC），Chiplet能夠提供許多卓越的優勢，如更高的性能、更低的功耗和更大的設計靈活性。因此，半導體行業正在構建一
眾所周知，對于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來說，高質量的襯底可以從外部購買得到，高質量的外延片也可以從外部購買到，
一種古老但仍然相關的實現數據傳輸速率大幅提高的技術稱為”雙泵” （double pumping）
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