高盛：中國光刻機落后20年
2025-09-02 21:51:33 EETOP投資銀行高盛指出，中國本土光刻企業的技術水平較國際同行至少落后 20 年。光刻技術是半導體制造的核心環節之一，也是目前制約中國高端芯片生產的唯一瓶頸。全球最先進的光刻設備由荷蘭企業 ASML 生產，由于其核心部件依賴美國技術，美國政府得以限制該類設備對中國的出口。
由于美國政府制裁華為其從臺積電采購芯片，華為不得不轉向中芯國際尋求芯片供應。但進一步的制裁措施禁止中芯國際采購極紫外（EUV）光刻設備，導致中國企業目前僅能生產 7 納米芯片。值得注意的是，這些芯片很可能仍依賴 ASML 的老舊深紫外（DUV）設備制造 —— 由于光刻設備的核心部件來自全球供應鏈（尤其是美歐國家），中國目前尚不具備自主生產先進光刻機的能力。高盛最新報告顯示，中國本土光刻設備行業的技術水平或落后 ASML 達 20 年之久。
光刻是芯片制造流程中的關鍵工序，其原理是將掩膜版上的芯片設計圖案轉移到硅晶圓上。ASML 的極紫外（EUV）及高數值孔徑（High-NA）EUV 光刻機等高端設備，能夠在硅晶圓上刻蝕更小的電路圖案，從而提升芯片性能。圖案轉移完成后，還需經過刻蝕、薄膜沉積、晶圓清洗等多道工序，最終形成芯片布局。
由于光刻技術直接決定了晶圓上精細電路的復制能力，光刻設備已成為芯片制造流程中的核心瓶頸。高盛在報告中強調，中國本土行業要達到 ASML 當前的芯片制造技術水平，至少還需要 20 年時間。
當前，臺積電等領先芯片制造商已實現 3 納米芯片量產，并正籌備 2 納米產品的研發。高盛指出：“ASML 從 65 納米技術迭代至 3 納米以下，耗費了 20 年時間與 400 億美元研發及資本支出。” 而中國本土光刻設備廠商目前仍停留在 65 納米技術階段，數據表明，其短期內追趕西方技術的可能性較低。
