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如何應(yīng)對芯片設(shè)計(jì)的能源危機(jī)?

2022-11-18 12:51:45 EETOP
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當(dāng)下,每每談及芯片設(shè)計(jì)所面臨的挑戰(zhàn)時(shí),總繞不開摩爾定律及后摩爾時(shí)代、EDA工具、越來越復(fù)雜的電路設(shè)計(jì),及芯片架構(gòu)等話題。而與此同時(shí),所有這些挑戰(zhàn),又同時(shí)和節(jié)能減碳這個(gè)能耗問題密不可分。


芯片從生產(chǎn)到使用過程中都需要大量的能源供給。據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù)顯示,2019年臺積電用掉了143.3億度電,這些用電量相當(dāng)于深圳約1300萬的人口一年的用電量。萬物互聯(lián)網(wǎng)的數(shù)字時(shí)代,每一秒,世界上都有數(shù)以千億計(jì)的芯片在高速運(yùn)轉(zhuǎn),進(jìn)一步降低芯片的能耗問題已經(jīng)迫在眉睫。


從市場需求來看芯片節(jié)能降碳設(shè)計(jì)方向  

 

芯片是現(xiàn)代工業(yè)產(chǎn)品的核心和靈魂,小到耳機(jī)手機(jī),大到飛機(jī)火箭等,都離不開芯片。其中最常見的就是消費(fèi)類芯片汽車芯片,此外還有應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心、工業(yè)、軍工和國防等領(lǐng)域的芯片


目前在國內(nèi),尤其是華南地區(qū),消費(fèi)類電子,包括物聯(lián)網(wǎng)芯片、穿戴式芯片的發(fā)展非常快。這類終端的下一代產(chǎn)品趨勢,首先是低功耗,因?yàn)樗鼈兊碾姵卦O(shè)備大多都是要保證較長的續(xù)航時(shí)間。其次就是降低成本。消費(fèi)類電子市場競爭非常激烈,幾乎所有的公司都在持續(xù)不斷地去做成本降低。


而在智能監(jiān)控這種需要進(jìn)行邊緣計(jì)算的應(yīng)用領(lǐng)域,需要提高算力去做AI計(jì)算,實(shí)現(xiàn)人、物品的識別功能,芯片也演變的越發(fā)復(fù)雜。汽車ADAS芯片同樣如此,很多應(yīng)用的的算力高達(dá)數(shù)百T,比如雷達(dá)識別或者是特斯拉的視覺識別,對芯片性能的要求都是越來越高的。那么隨之制程也一定是越來越先進(jìn)的,可能會趕超手機(jī)、電腦、服務(wù)器等應(yīng)用。


華邦電子大陸區(qū)產(chǎn)品營銷處處長朱迪在接受EETOP采訪時(shí)表示:“降低成本,不一定要采取犧牲產(chǎn)品性能的方式,制程降低同樣可以有效降低成本,比如說從40nm,降到28nm、22nm,甚至到1X nm。其實(shí)汽車,尤其是現(xiàn)在的EV造車新勢力,對于ADAS或者智能座艙的要求都非常高,芯片性能也越來越強(qiáng)。因此,制程一定同步發(fā)展,甚至可能會選擇最先進(jìn)的制程去做。”


除了制程之外,車機(jī)系統(tǒng)同樣需要考慮功耗問題。在過去,大家都沒有想到在汽車里面會需要搭載幾百瓦的芯片,如今這些高性能芯片對整個(gè)系統(tǒng)的散熱、整體功耗,以及外圍器件和存儲芯片的影響,都需要重新考慮。


芯片的集成化將是主流的發(fā)展趨勢,這也是內(nèi)存廠商和主芯片廠商合作逐漸增多的領(lǐng)域。”多芯片合封技術(shù)同樣是減少封裝面積、減少能源消耗、降低客戶成本、提升產(chǎn)品性價(jià)比方式。朱迪分享說,多芯片封裝一方面可以通過降低封裝材料使用,從而實(shí)現(xiàn)節(jié)能減碳;另一方面也契合現(xiàn)在整個(gè)電子產(chǎn)品,尤其是消費(fèi)類產(chǎn)品的小型化要求。多芯片合封到一起之后,穿戴類或者是物聯(lián)網(wǎng)模塊類的產(chǎn)品尺寸都可以很小。單芯片,把里面的存儲、PA、藍(lán)牙等芯片都合封在一起,可以有效降低整體的成本,并且尺寸也更加輕薄短小。


據(jù)介紹,華邦目前就在和主芯片廠商合作進(jìn)行SiP(多芯片合封技術(shù))的開發(fā),提供KGD產(chǎn)品跟客戶的主芯片一起封裝,在華邦進(jìn)行測試,免去單獨(dú)的封測環(huán)節(jié)。朱迪指出:“目前,節(jié)能減碳是全世界各國的共同趨勢。華邦主要從兩個(gè)方面來實(shí)現(xiàn)節(jié)能減碳的目標(biāo):首先是在產(chǎn)品設(shè)計(jì)時(shí)就實(shí)現(xiàn)低功耗,減少終端產(chǎn)品的能源消耗;其次,在產(chǎn)品制造過程中,通過先進(jìn)工藝減少碳排放,同時(shí)工廠做好節(jié)能減排和水資源回收等。”


從具體產(chǎn)品設(shè)計(jì)看華邦的降耗思路


GP-Boost DRAM


目前,華邦專注于GP-Boost DRAM產(chǎn)品的研發(fā)及推廣,GP-Boost DRAM意為Green Power Boost-DRAM,也就是低功耗的DRAM。相比過去幾年在業(yè)內(nèi)用得較多的標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)品,例如SDRAM、DDR1、DDR2等,華邦的Green Power產(chǎn)品運(yùn)行功耗會比常規(guī)產(chǎn)品低10%左右,待機(jī)功耗更是顯著降低,可以比常規(guī)的SDRAM產(chǎn)品低60%到70%。同時(shí)性能也同樣出眾,GP-Boost DRAM的帶寬較傳統(tǒng)產(chǎn)品也有增加,如此一來就可以滿足更多像邊緣計(jì)算這種對算力有要求的應(yīng)用場景。


除了產(chǎn)品本身的低功耗特性之外,產(chǎn)品封裝上所用的化學(xué)原材料用量也與能源消耗息息相關(guān)。朱迪說:“華邦的每一顆芯片的外部都有厚厚的一層塑膠保護(hù)層,如果我們把封裝做小就會減少化學(xué)物品的消耗。”據(jù)介紹,華邦最新推出的100BGA LPDDR4/4X就是一個(gè)在封裝層面降低消耗的經(jīng)典產(chǎn)品。相對于傳統(tǒng)的200BGA,100BGA的封裝,其體積縮小了一半左右,節(jié)約了整體材料成本,也減少在PCB的占用空間。


HYPERRAM


HYPERRAM產(chǎn)品具備超低功耗特性,運(yùn)行功耗遠(yuǎn)低于同容量的CellularRAM和SDRAM,同時(shí)通過特有的混合睡眠模式(Hybrid Sleep Mode),HYPERRAM功耗可進(jìn)一步降低。此外,HYPERRAM大多采用24BGA、 WLCSP這類沒有外部塑料的封裝,比傳統(tǒng)的LPDDR產(chǎn)品封裝還要都小很多,可以節(jié)約PCB面積、降低成本,同時(shí)降低消耗。


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除了24BGA封裝以外,WLCSP跟KGD封裝非常小,可以算是“免封裝”產(chǎn)品,相應(yīng)的功耗也比較低。低功耗帶來的另一個(gè)好處就是可使客戶的產(chǎn)品功耗降低、提升產(chǎn)品續(xù)航能力,從而提升客戶產(chǎn)品的競爭力。對于需要電池供電的產(chǎn)品來說,還能減少電池的消耗,有助于減小電池生產(chǎn)和回收的環(huán)境污染等。


1.2V NOR Flash


低電壓也是華邦所努力的方向之一。以NOR Flash 而言,目前的主流電壓是3.3V,而可穿戴設(shè)備以及其他低功耗的應(yīng)用,主流電壓會達(dá)到到1.8V。華邦是全球第一家推出1.2V NOR Flash的廠家,并于2020年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),目前已經(jīng)有海外的大客戶在批量生產(chǎn)采用1.2V NOR Flash的產(chǎn)品。


1.2V NOR Flash有以下好處:


  • 可以同步配合主芯片廠商的制程的演進(jìn)。因?yàn)橹瞥淘酵挛⒖s,產(chǎn)品電壓會持續(xù)下降,需要的I/O電壓也持續(xù)下降,采用1.2V產(chǎn)品就可以很好地匹配,無需使用電平轉(zhuǎn)換器即可直接和SoC連接,從而降低BOM成本和PCB占用空間。

  • 可以有效降低功耗。此外從 1.8V 電壓降至 1.2V,產(chǎn)品本身在運(yùn)行上會降低50%的功耗,待機(jī)功耗也會減少33%,電池壽命、續(xù)航能力有大幅的增加,對于整機(jī)產(chǎn)品的功耗會有非常顯著的改善。


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相比傳統(tǒng) 1.8V,1.2V 接口具有顯著優(yōu)勢


朱迪總結(jié)說:“華邦當(dāng)前的NOR Flash產(chǎn)品容量涵蓋2Mb~2 GB、電壓范圍是1.2V~3V,且都通過AECQ100認(rèn)證。雖然大容量NOR Flash的成本相對較高,但由于其高可靠性和高穩(wěn)定性的特點(diǎn),非常適合汽車的應(yīng)用。同時(shí)華邦的產(chǎn)品目前也得到了國內(nèi)一線汽車廠商的認(rèn)證,并且已經(jīng)有相關(guān)項(xiàng)目正在進(jìn)行。”


從制作工藝角度實(shí)現(xiàn)節(jié)能減碳


在產(chǎn)品之外,華邦在制作工藝上也有積極探索。比如低溫焊接 (Low Temperature Soldering,LTS) 制程,朱迪介紹說:“在存儲行業(yè),華邦很早就開始進(jìn)行LTS制程的研發(fā),推出配合低溫焊接制程 (~190C)的閃存產(chǎn)品。”


其實(shí),低溫焊接最早是由英特爾于2017年開始提出的。過去,出于環(huán)保的考慮,將原有的鉛焊轉(zhuǎn)變成無鉛焊接,但付出的代價(jià)則是焊接溫度從常規(guī)的210℃、220℃上升到260℃,近40℃的溫度升高對能源消耗是巨大的。 所以2017年英特爾主導(dǎo)研發(fā)了低溫焊接的技術(shù),最先在電腦和平板產(chǎn)品開始使用。


低溫焊接技術(shù)的核心是焊接材料、芯片本身的需求以及低溫焊接錫膏,好處就是溫度可以從260℃降到190℃,能源消耗、碳排放都有顯著減少。根據(jù)計(jì)算結(jié)果,將 SMT 溫度從無鉛制程的 220~260C 降到低溫焊接制程的190℃,每 條 SMT 生產(chǎn)線的二氧化碳排放量一年可以減少 57 公噸,對于碳排放減量幫助非常明顯。


除了節(jié)能減碳以外,對于有插件式組件的 PCB,因?yàn)椴寮浇M件可以承受低溫焊接制程的溫度,SMT 就可以一次將所有組件組裝到 PCB上,大幅簡化及縮短 SMT 流程。而且隨著焊接溫度下降,芯片及 PCB 還可以選較低成本的低溫材料,對于 SMT 生產(chǎn)成本幫助很大,根據(jù)統(tǒng)計(jì) SMT 整體每年約可減少 40% 成本開銷。


如何實(shí)現(xiàn)自身發(fā)展和環(huán)境保護(hù)之間的平衡,對于所有行業(yè)都是非常關(guān)鍵的。不過,要實(shí)現(xiàn)ESG和減碳目標(biāo)帶來的成本上升一定會降低產(chǎn)品的價(jià)格競爭力。現(xiàn)在整個(gè)行業(yè),尤其是消費(fèi)類電子行業(yè)的競爭非常激烈,并不是每個(gè)公司都愿意去犧牲價(jià)格優(yōu)勢,投入資金去做環(huán)保,所以這是一個(gè)相當(dāng)大的挑戰(zhàn)。朱迪表示:“華邦一直在研究更先進(jìn)的技術(shù),在不增加成本的前提下實(shí)現(xiàn)節(jié)能減碳。”


關(guān)鍵詞: 芯片 半導(dǎo)體 集成電路

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