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Digitimes 今日?qǐng)?bào)道，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（YMTC）正籌備進(jìn)軍 DRAM 制造領(lǐng)域，并探索與長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司（CXMT）建立合作，聚焦高帶寬內(nèi)存（HBM）—— 這類高端 DRAM 通常與高性能 AI 加速器堆疊封裝。這一動(dòng)作正值 HBM 成為數(shù)據(jù)中心最炙手可熱的組件，且中國(guó)政府加速推進(jìn)內(nèi)存自主化、減少對(duì)三星、SK 海力士、美光三大存儲(chǔ)巨頭依賴的關(guān)鍵時(shí)期。

雙雄聯(lián)手，同筑目標(biāo)

在 GPU 與定制 AI 芯片的驅(qū)動(dòng)下，HBM 已成為存儲(chǔ)市場(chǎng)的增長(zhǎng)引擎，這一趨勢(shì)亦引發(fā)美國(guó)關(guān)注。美國(guó)工業(yè)與安全局（BIS）2024 年 12 月的新規(guī)明確將 HBM 納入管制范圍，并同步收緊芯片制造設(shè)備出口限制，本質(zhì)上是在遏制中國(guó)獲取 AI 計(jì)算核心技術(shù)的渠道。這一政策背景恰能解釋為何市場(chǎng)預(yù)期 YMTC 與 CXMT 將展開合作。

從技術(shù)落地看，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正加速突破技術(shù)壁壘。2024 年至今的行業(yè)報(bào)道顯示，該公司已實(shí)現(xiàn) HBM2 量產(chǎn)，并以加急節(jié)奏推進(jìn) HBM3 研發(fā)。多家國(guó)內(nèi)媒體與研究機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)其 HBM3 及 HBM3E 產(chǎn)品將于 2026-2027 年量產(chǎn)。分析師指出，盡管長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的技術(shù)進(jìn)程較韓國(guó)龍頭仍有幾年差距，但其追趕速度顯著加快。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)的角色定位

在這一潛在合作中，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的價(jià)值并非源于 DRAM 技術(shù)積累，而是鍵合工藝 expertise。其自主研發(fā)的 “Xtacking” 架構(gòu)（被 TechInsights 稱為混合鍵合技術(shù)的領(lǐng)先實(shí)踐）已用于 3D NAND 量產(chǎn)多年。隨著 HBM 行業(yè)為提升帶寬與散熱性能而逐步轉(zhuǎn)向混合鍵合技術(shù)（尤其在堆疊層數(shù)增加的場(chǎng)景下），長(zhǎng)江存儲(chǔ)的工藝積累顯得尤為關(guān)鍵。

與此同時(shí)，國(guó)內(nèi) HBM 封裝產(chǎn)業(yè)鏈也在加速構(gòu)建。路透社 2024 年報(bào)道顯示，包括長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)、武漢新芯在內(nèi)的中國(guó)企業(yè)正開發(fā) HBM 封裝技術(shù)，通富微電已涉足封裝測(cè)試環(huán)節(jié)。當(dāng)先進(jìn)封裝成為 HBM 產(chǎn)能釋放的關(guān)鍵瓶頸時(shí)，晶圓廠若想規(guī)模化生產(chǎn)，外包封裝測(cè)試幾乎成為必然選擇。

值得注意的是，此類產(chǎn)業(yè)布局并非孤立事件。美國(guó)對(duì)中國(guó)晶圓廠的管制持續(xù)升級(jí)，臺(tái)積電南京廠近期失去快速審批資格的消息，再次印證美國(guó)正通過更精細(xì)、耗時(shí)的出口許可制度，系統(tǒng)性阻礙中國(guó)先進(jìn)半導(dǎo)體制造能力的提升。