紫光表示,2017年,長江存儲成功研發了中國首顆擁有自主知識產權的32層MLC 3D NAND閃存芯片,實現了中國三維閃存產業“零”的突破。該芯片的存儲容量為8GB至32GB,目前已通過企業級驗證并進行小規模的批量生產,主要應用在U盤,SD卡,機頂盒及固態硬盤等領域。
此后,長江存儲基于不斷的自主研發和創新,推出了第二代具備完全自主知識產權的64層256Gb TLC 3D NAND閃存,它擁有全球同代產品中最高的存儲密度,將廣泛應用在智能手機,個人電腦,服務器等領域。長江存儲64層三維閃存既是全球首款基于Xtacking架構設計并實現量產的閃存產品,也是中國企業首次實現64層3D NAND閃存芯片的量產,標志著長江存儲已成功走出了一條高端芯片設計制造的創新之路。