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據(jù)介紹，長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND閃存是全球首款基于Xtacking架構(gòu)設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的閃存產(chǎn)品，擁有同代產(chǎn)品（特指截止目前業(yè)界已上市的64/72層3D NAND 閃存）中最高的存儲(chǔ)密度。 Xtacking可實(shí)現(xiàn)在兩片獨(dú)立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲(chǔ)單元，這樣有利于選擇更先進(jìn)的制造工藝。 當(dāng)兩片晶圓各自完工后，創(chuàng)新的Xtacking技術(shù)只需一個(gè)處理步驟就可通過數(shù)十億根垂直互聯(lián)通道(VIA)將兩片晶圓鍵合。 相比傳統(tǒng)3D NAND閃存架構(gòu)，Xtacking可帶來更快的I/O傳輸速度、更高的存儲(chǔ)密度和更短的產(chǎn)品上市周期。
 

作為集成器件制造商(IDM - Integrated Device Manufacturer)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)致力于為全球客戶提供完整的存儲(chǔ)解決方案及服務(wù)，并計(jì)劃推出集成64層3D NAND閃存的固態(tài)硬盤、UFS等產(chǎn)品，以滿足數(shù)據(jù)中心，以及企業(yè)級(jí)服務(wù)器、個(gè)人電腦和移動(dòng)設(shè)備制造商的需求。
 

考慮到中國(guó)乃至全球的NAND Flash格局，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的這款新產(chǎn)品面世擁有極其重要的意義。
 

肩負(fù)中國(guó)NAND Flash破局的重任
 

過去幾年，因?yàn)榇鎯?chǔ)產(chǎn)品的大幅漲價(jià)，讓大家正式認(rèn)識(shí)到存儲(chǔ)的重要性，但這是一個(gè)幾家廠商高度壟斷，而中國(guó)幾近空白的市場(chǎng)。
 

據(jù)資料顯示，三星，鎂光和SK海力士和東芝等幾家廠商幾乎壟斷了全球的NAND FLASH市場(chǎng)供應(yīng)，其中三星則多年位居龍頭。
 

長(zhǎng)江存儲(chǔ)就是為了打破這個(gè)局面而生的。
 

根據(jù)公司官網(wǎng)介紹，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”）于2016年7月在中國(guó)武漢成立，是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲(chǔ)器公司。 長(zhǎng)江存儲(chǔ)為全球工商業(yè)客戶提供存儲(chǔ)器產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備、計(jì)算機(jī)、數(shù)據(jù)中心和消費(fèi)電子產(chǎn)品等領(lǐng)域。 長(zhǎng)江存儲(chǔ)在武漢、上海、北京等地設(shè)有研發(fā)中心，通過不懈努力和技術(shù)創(chuàng)新，致力于成為全球領(lǐng)先的NAND閃存解決方案提供商。
 

在成立之后，公司一直進(jìn)展順利，2017年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在全資子公司武漢新芯12英寸集成電路制造工廠的基礎(chǔ)上，通過自主研發(fā)和國(guó)際合作相結(jié)合的方式，成功設(shè)計(jì)并制造了中國(guó)首批3D NAND閃存芯片。
 

公司的發(fā)展歷程
 

在芯片技術(shù)發(fā)展的同時(shí)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在208年八月還推出了他們的其突破性技術(shù)——Xtacking。 該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲(chǔ)密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。
 

據(jù)介紹，傳統(tǒng)3D NAND架構(gòu)中，外圍電路約占芯片面積的20~30%，降低了芯片的存儲(chǔ)密度。 隨著3D NAND技術(shù)堆疊到128層甚至更高，外圍電路可能會(huì)占到芯片整體面積的50%以上。 Xtacking技術(shù)將外圍電路置于存儲(chǔ)單元之上，從而實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)3D NAND更高的存儲(chǔ)密度。
 

Xtacking技術(shù)充分利用存儲(chǔ)單元和外圍電路的獨(dú)立加工優(yōu)勢(shì)，實(shí)現(xiàn)了并行的、模塊化的產(chǎn)品設(shè)計(jì)及制造，產(chǎn)品開發(fā)時(shí)間可縮短三個(gè)月，生產(chǎn)周期可縮短20%，從而大幅縮短3D NAND產(chǎn)品的上市時(shí)間。 此外，這種模塊化的方式也為引入NAND外圍電路的創(chuàng)新功能以實(shí)現(xiàn)NAND閃存的定制化提供了可能。
 

長(zhǎng)江存儲(chǔ)聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級(jí)副總裁程衛(wèi)華表示： “通過將Xtacking架構(gòu)引入批量生產(chǎn)，能夠顯著提升產(chǎn)品性能，縮短開發(fā)周期和生產(chǎn)制造周期，從而推動(dòng)高速大容量存儲(chǔ)解決方案市場(chǎng)的快速發(fā)展。 ”
 

關(guān)于未來的產(chǎn)能和一些規(guī)劃發(fā)展的時(shí)候，之前市場(chǎng)傳聞，長(zhǎng)江存儲(chǔ)到2020明年年底，可以達(dá)到六萬片每月，公司也將在2020年跳過96層，直接進(jìn)入128層，但這都是市場(chǎng)傳言，并沒有準(zhǔn)確的消息來源。
 

不過長(zhǎng)江存儲(chǔ)表示，今后，公司將持續(xù)投入研發(fā)資源，以通過技術(shù)和產(chǎn)品的迭代，使每一代產(chǎn)品都具備強(qiáng)勁的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，更好地滿足全球客戶的需求。 “隨著5G，人工智能和超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心時(shí)代的到來，閃存市場(chǎng)的需求將持續(xù)增長(zhǎng)。 長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND閃存產(chǎn)品的量產(chǎn)將為全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)健康發(fā)展注入新動(dòng)力。 ”程衛(wèi)華強(qiáng)調(diào)。
 

日前，在紫光集團(tuán)宣布委任高啟全為DRAM事業(yè)群CEO后，紫光旗下武漢新芯集成電路制造有限公司（以下簡(jiǎn)稱武漢新芯）宣布，聘請(qǐng)紫光集團(tuán)全球執(zhí)行副總裁孫世偉接任高啟全擔(dān)任武漢新芯總經(jīng)理兼首席執(zhí)行官（CEO）。
 

作為一個(gè)從1985年起就進(jìn)入半導(dǎo)體領(lǐng)域，并歷任美國(guó)摩托羅拉半導(dǎo)體公司擔(dān)任研發(fā)主管，曾任聯(lián)華電子股份有限公司（UMC）首席運(yùn)營(yíng)官、首席執(zhí)行官、副董事長(zhǎng)等重要職務(wù)的芯片業(yè)界知名的領(lǐng)軍人物，孫世偉的加入，必將能給長(zhǎng)江存儲(chǔ)帶來巨大利好。
 

讓我們展望長(zhǎng)江存儲(chǔ)的美好未來。


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