瞄準臺積電！三星首秀3D 封裝技術，可用于7納米制程
2020-08-15 14:53:02 EETOP三星電子成功研發(fā)3D 晶圓封裝技術「X-Cube」，宣稱此種垂直堆疊的封裝方法，可用于7 納米制程，能提高晶圓代工能力，要借此和業(yè)界領袖臺積電一較高下。
三星官網(wǎng)13日新聞稿稱，三星3D IC封裝技術X-Cube，采用硅穿孔科技（through-silicon Via，TSV），能讓速度和能效大躍進，以協(xié)助解決新一代應用程式嚴苛的表現(xiàn)需求，如5G、人工智能（AI）、高性能運算、移動和可穿戴裝置等。
三星晶圓代工市場策略的資深副總Moonsoo Kang 說：「三星的新3D 整合技術，確保TSV 在先進的極紫外光（EUV）制程節(jié)點時，也能穩(wěn)定聯(lián)通」。有了X-Cube，IC 設計師打造符合自身需求的客制化解決方案時，將有更多彈性。X-Cube 的測試芯片，以7 納米制程為基礎，使用TSV 技術在邏輯晶粒（logic die）堆疊SRAM，可釋放更多空間、塞入更多存儲器。
有了3D整合方案，晶粒間的訊號傳輸路徑將大為縮短，可加快數(shù)據(jù)傳送速度和能源效益。三星宣稱，X-Cube可用于7納米和5納米制程。
韓國時報13 日報導，封裝是晶圓生產(chǎn)的重要環(huán)節(jié)，過去幾年來，三星強化封裝技術，超薄封裝能縮短積體電路的訊號傳輸路徑，加快傳遞速度、提升能源效益。三星將在16~18 日的Hot Chips 峰會，公布更多X-Cube 的細節(jié)。
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