美光開始量產1z納米 DRAM
2019-08-29 13:27:24 來源：中時電子報
與上一代1y納米節點相比，美光的1z納米16Gb DDR4產品顯著提高位元密度、大幅增進效能并降低成本。同時，它也促進美光持續改善其運算DRAM（DDR4）、行動DRAM（LPDDR4）和圖形DRAM（GDDR6）產品系列的相對效能和功耗。對于包括人工智慧、自動駕駛車輛、5G、行動裝置、圖形、游戲、網路基礎設施和服務器等應用而言，功率和效能之間的優化平衡是關鍵的差異化因素。
美光透過量產16Gb DDR4存儲器解決方案，開始將技術移轉至1z納米。使用更小的節點進行生產帶來多項優勢，包括功耗較上一代8Gb DDR4產品降低約40％。美光全面的1z納米DDR4產品組合也滿足資料中心對更高效能、更高容量和更低功耗，日益增長的需求。
此外，美光也宣布公司已開始批量出貨基于UFS規范多芯片封裝（uMCP4）的業界最高容量單片16Gb低功率雙倍資料速率4X （LPDDR4X）DRAM。美光的1z納米LPDDR4X和uMCP4滿足了移動設備制造商尋求更低功率和更小封裝，以設計具有吸引人的規格尺寸和長電池壽命的裝置需求。
科普：什么是1xnm，1ynm和1znm
在20nm之上，供應商們希望通過兩代或三代1xnm節點去升級DRAM，也被稱為1xnm，1ynm和1znm。1xnm處于16nm和19nm之間，1ynm規定在14nm到16nm，1znm規定在12nm到14nm。
