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鎧俠:3D閃存是王道 Intel傲騰沒有未來

2020-01-02 09:36:33 快科技
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NAND閃存無疑是當下乃至未來最主流的存儲技術,但也有不少新的存儲技術在探索和推進,Intel 3D XPoint(傲騰)就是典型代表(曾與美光合作研發如今已分手),產品也是多點開花,Intel對它頗為倚重。

不過,鎧俠(Kioxia/原東芝存儲)對于Intel傲騰技術卻有些不屑一顧,認為還是應該堅持走NAND路線,尤其是自家新研發的XL-Flash技術更有前景。

Intel 3D XPoint存儲使用相變材料來調節存儲單元的電阻,再通過電子選擇器開關來訪問,通過交替改變字線和位線的方向保比特位可尋址特性。如果需要堆疊更多層數,就需要增加額外的字線和位線,以及其間的單元。

鎧俠認為,3D XPoint傲騰這種存儲技術存在很多缺陷,尤其是仍然局限于單層,而相比于在每一層內增加比特位,增加層數會導致復雜性、成本急劇增加,控制電路也會損失一部分面積,并嚴重影響產能。

相比之下,3D NAND閃存技術要成熟得多,蝕刻和填充步驟可以一次覆蓋多層,目前已有大量的90多層產品已上市,100多層的也就在不遠處,這是一種行之有效的思路,面積上的損失幾乎為零,產能影響也很小。

另外,3D NAND的成本會隨著層數的不斷增加而持續降低,盡管會越來越不明顯,但是3D XPoint技術在堆疊到四五層后,成本反而會迅速增加,失去擴展性。

當然,鎧俠的這一番言論目的還是推銷自家的XL-Flash,去年8月份才剛剛提出,將在今年大規模量產。

這種技術介于傳統DRAM內存、NAND Flash閃存之間,可以理解為一種采用3D立體封裝、延遲超低的SLC閃存,單Die容量128Gb,支持兩個、四個、八個Die整合封裝,單顆容量最大128GB,而且分成了多達16層,延遲不超過5微秒。

對于這樣的說法,Intel肯定不會同意。事實上,Intel一直在并行發展3D NAND、3D XPoint,前者已經量產96層QLC,明年還會有144層QLC,后者也準備好了擴展到雙層,未來還有四層、八層。

Intel還已透露,下代傲騰產品“Aerospike”預計可以做到130萬左右的超高IOPS,是現在傲騰SSD DC P4800X的大約三倍,更是NAND閃存硬盤的四倍多,同時失敗率極低,只有NAND閃存的大約50分之一,而作為拿手好戲的延遲更是一騎絕塵。

此外針對3D NAND閃存,Intel、鎧俠等都在研究5個比特位的PLC。
 


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關鍵詞: Intel 3D閃存

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