三星正在研發(fā)160層及以上的3D閃存
2020-04-20 09:05:14 快科技
在136層之后，三星目前正在研發(fā)160層及以上的3D閃存，將成為第七代V-NAND閃存的基礎(chǔ)。
目前160層+的3D閃存還沒有詳細(xì)的技術(shù)信息，韓媒報道稱三星可能會大幅改進制造工藝，從現(xiàn)在的單堆棧（single-stack）升級到雙堆棧（double-stack），以便制造更高層數(shù)的3D閃存。
考慮到三星在NAND閃存行業(yè)占據(jù)了超過1/3的份額，實力是最強的，不出意外160+層堆棧的閃存應(yīng)該也會是他們首發(fā)，繼續(xù)保持閃存技術(shù)上的優(yōu)勢，拉開與對手的差距。
對了，單從層數(shù)上來說，三星的160層+還不是最高的，SK Hynix去年宣布正在研發(fā)176層堆棧的4D閃存，不過他們家的閃存結(jié)構(gòu)甚至命名都跟其他廠商有所不同，不能單看層數(shù)高低。
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