國產5nm半導體設備已獲得臺積電訂單 5nm以下技術研發中
2020-04-20 09:10:26 快科技
目前公司正在配合客戶需求，開發新一代刻蝕設備和包括更先進大馬士革在內的刻蝕工藝，能夠涵蓋5納米以下刻蝕需求和更多不同關鍵應用的設備。
在3D閃存領域，中微半導體電容性等離子體刻蝕設備可應用于64層的量產，同時根據存儲器廠商的需求正在開發新一代能夠涵蓋128層關鍵刻蝕應用以及相對應的極高深寬比的刻蝕設備和工藝。
此外，中微公司的電感性等離子刻蝕設備已在多個邏輯芯片和存儲芯片廠商的生產線上量產。
根據客戶的技術發展需求，正在進行下一代產品的技術研發，以滿足7納米以下的邏輯芯片、1X納米的DRAM芯片和128層以上的3D NAND芯片等產品的ICP刻蝕需求，并進行高產出的ICP刻蝕設備的研發。
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