突破1 納米制程瓶頸！IBM聯合三星發布新工藝:垂直傳輸晶體管，密度、速度顯著提高、功耗可降低85%
2021-12-14 15:21:40 EETOP相較傳統將晶體管以水平放置，垂直傳輸場效應晶體管將能增加晶體管數量堆疊密度，并讓運算速度提升兩倍，同時借電流垂直流通，使功耗在相同性能發揮下降低85%。
IBM 和三星指出，此技術能在未來手機一次充電續航力就達一星期，可使某些耗能密集型任務如加密運算更省電，減少對環境的影響。不過IBM 與三星尚未透露何時開始將垂直傳輸場效應晶體管設計應用于產品，但是市場人士預估，短時間內會有進一步消息。
相對IBM 與三星技術成果發表，晶圓代工龍頭臺積電也在5 月宣布，與臺灣大學、麻省理工學院共同研究，以鉍金屬特性突破1納米制程極限，下探至1納米以下。英特爾日前也公布制程發展布局，除了現有納米級制程節點設計，接下來也會開始布局埃米等級制程，預計最快2024 年進入20A 制程節點。
