ASML High-NA EUV 光刻機商用第一家！
2025-09-03 20:25:28 EETOPSK 海力士成為行業首家在工廠集成 ASML 高數值孔徑極紫外（High-NA EUV）光刻機的企業，超越臺積電、三星等行業巨頭。
SK 海力士憑借High-NA EUV 系統集成超越臺積電與三星，樹立行業新標準
這家韓國存儲巨頭已成為全球規模最大、技術最先進的 DRAM 制造商之一，這得益于其端到端解決方案，更重要的是與英偉達的深度合作。如今，該公司成功在韓國利川 M16 晶圓廠完成 ASML 高 NA 設備的集成，成為行業首個實現這一突破的企業，不僅超越了行業龍頭，也為下一代 DRAM 技術發展鋪平道路。SK 海力士在官方博客中宣布這一成就，稱此舉將推動尖端產品的研發。
ASML High-NA EUV 產品線首款量產機型 TWINSCAN EXE:5200B，相比現有 EUV 系統，可將晶體管尺寸縮小 1.7 倍，晶體管密度提升 2.9 倍，數值孔徑（NA）從 0.33 提升至 0.55，實現 40% 的性能優化。
通過采用新系統，SK 海力士計劃簡化現有 EUV 工藝，加速下一代存儲器研發，以提升產品性能與成本競爭力。該公司還旨在鞏固其在高附加值存儲產品市場的地位，強化技術領先優勢。值得關注的是，此前有報告指出 SK 海力士在 DRAM 領域推進High-NA EUV 設計，計劃將 DRAM 技術升級至六層 EUV 工藝，實現重大突破。業內認為，High-NA EUV 設備是突破 "層數基準" 的關鍵，如今 SK 海力士獲得 ASML 高端設備支持，顯然已為存儲市場的下一輪革新做好準備。
無疑，SK 海力士已成為英偉達、AMD 等客戶的核心 DRAM 供應商，并在較短時間內超越行業龍頭三星。更重要的是，該公司對高 NA 設備的集成表明其技術突破不會止步 —— 它將持續提供高品質產品，并為行業帶來強勁競爭。
此外，三星也將于下季度接收首臺High-NA EUV 光刻設備，預計 2025 年底實現商用化。
