為維持市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，各大
半導(dǎo)體廠商無不砸下重本投資研發(fā)。根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Semico Research統(tǒng)計(jì)，2015年
半導(dǎo)體廠的總資本支出額預(yù)估可達(dá)687億美元，較2014年的633億成長(zhǎng)9%，并打破2011年638億美元的記錄。
Semico
Research技術(shù)研究總監(jiān)Adrienne
Downey指出，2015年
半導(dǎo)體總資本支出額的90%來自十五間主要大廠。前五名成員與2014年相同，唯順序更動(dòng)。三星(Samsung)蟬聯(lián)第
一，
臺(tái)積電躍升第二，去年亞軍
英特爾(Intel)則退居第三。海力士(Hynix)與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)在2014年各為第四
及第五名，今年則因格羅方德投資額增加22%而名次互調(diào)。
前十五大廠商中，投資額成長(zhǎng)幅度最高的是索尼(Sony)的207%，總額約
20億美元。大部分的資本支出都投入在提升影像感測(cè)器(Image Sensor)產(chǎn)能上，有些則投入在索尼相對(duì)陌生的相機(jī)模組(Camera
Module)產(chǎn)能上。索尼的資本支出成長(zhǎng)額僅次于三星，其中日幣貶值是部分因素。
資本支出排名第一的三星，先前在2014年10月簽署合作備忘錄(MOU)計(jì)畫新建晶圓廠，今年5月7日的動(dòng)工儀式上更宣布投資143億美元，預(yù)計(jì)廠房將于2017年啟用并在上半年開始上線生產(chǎn)。三星期望該廠能達(dá)到業(yè)界最高產(chǎn)能，廠址面積約79萬平方公尺。
Downey表示，針對(duì)該廠制造的產(chǎn)品三星并不愿透露太多，僅稱將主打手機(jī)、伺服器以及
物聯(lián)網(wǎng)(IoT)市場(chǎng)，推論可能包括手機(jī)及伺服器動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)，以及感測(cè)器或
處理器晶片。
排名第二的
臺(tái)積電，今年成功量產(chǎn)16奈米制程，大幅提升資本效益，使得2015年的資本支出減少10億美元，總額降至108億美元。即便如此，
臺(tái)積電今年支出總額仍大幅高于排名第三的
英特爾。
由于良率和產(chǎn)能利用率改善，
英特爾2015年的資本支出額較去年少10億美元，來到87億美元。
英特爾表示，資本支出縮減情形對(duì)該公司而言并非第一次發(fā)生，位于美國(guó)亞利桑那州的Fab 42廠自2014年1月以來毫無啟用消息即是明顯證明。
至于格羅方德，2015年增加約10億美元的資本支出，幾乎全數(shù)投入紐約廠的14奈米制程。
另
值得注意的是，中國(guó)大陸晶圓代工廠中芯國(guó)際(SMIC)將于2015下半年新增兩間晶圓廠。其位于北京的300毫米B2廠正著手40奈米與28奈米制程，
設(shè)備完善后將能達(dá)成35,000片的月產(chǎn)能。中芯國(guó)際同樣也在深圳廠增加20,000片8寸晶圓的月產(chǎn)能。最初的10,000片月產(chǎn)能將在2015年第三
季進(jìn)行商業(yè)生產(chǎn)，另一半則會(huì)在2015年底加入。
中芯國(guó)際高層預(yù)估8寸晶圓的產(chǎn)能將持續(xù)短缺，此波增量因此會(huì)持續(xù)到2016年。中芯國(guó)際今年總資本支出成長(zhǎng)50%來到15億美元，其中8億元將會(huì)投入北京廠的12寸晶圓產(chǎn)能；其余部分則會(huì)投入到深圳廠的8寸晶圓產(chǎn)能。
