消費電子行業日益擔心浮柵NVM（非易失性內存）不能繼續以每比特更低成本來提供更高的存儲功能，而每比特更低成本則是驅動NVM市場發展的根本
設計任何芯片的關鍵步驟之一就是在獲得第一批芯片后進行的測試。在測試中，您終于可以看到全部悉心工作的成果，并確定芯片是否按照設計和仿
現代寬禁帶功率器件(SiC, GaN)上的開關晶體管速度越來越快，使得測量和表征成為相當大的挑戰，在某些情況下幾乎不可能實現。隔離探測技術
隨著新基建概念的提出，5G和數據中心的建設在2020年進入快車道，海量的光模塊需求引領著行業的更新換代，對光器件提出了更高的要求。在光通
各種各樣的應用通常要在許多類型的器件上執行電容-電壓(C-V)和AC阻抗測量。例如，C-V測量用來確定以下器件參數：MOSCAPs的柵極氧化物電容、
半導體電容一般是皮法 (pF) 級或納法(nF) 級。許多商用 LCR 或電容表可以使用適當的測量技術測量這些值，包括補償技術。但是，某些應
由于可以在較高頻率、電壓和溫度下工作且功率損耗較低，寬禁帶半導體（SiC 和 GaN）現在配合傳統硅一同用于汽車和 RF 通信等嚴苛應用中
聚焦于PCIe 3 0和4 0中的動態均衡技術，本文介紹其原理、實現及其相關的一致性測試，這種動態均衡技術被稱作Link Equalization（鏈路均衡
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