本文將討論VLSI(超大規(guī)模集成電路)電路以及影響MOS晶體管的非理想因素的來源。自20世紀(jì)40年代末至50年代初發(fā)明晶體管以來,它一直是電子
(開發(fā)集成電路時(shí))我們并沒有想到它將電子產(chǎn)品的成本降低到了百萬分之一。–Jack Kilby當(dāng)Jack Kilby于1958年在德州儀器發(fā)明首款集
在synopsys ug里 set_dft_signal -timing一般配置為【list 45 55】,而且好多網(wǎng)上的腳本里也是45開始,請(qǐng)問45是怎么來的呢,為什么要配置為45呢?
在三個(gè)關(guān)鍵系統(tǒng)模塊(處理器,內(nèi)存和互連(I O))之間需要互相協(xié)調(diào),每個(gè)要都在更好的提升性能。隨著按各種指標(biāo)衡量的處理器和內(nèi)存速度
超短距離(USR)接口在2 5D封裝技術(shù)上的重要性日益提高,已導(dǎo)致各種電氣定義和電路實(shí)現(xiàn)。臺(tái)積電最近介紹了其IP開發(fā)團(tuán)隊(duì)采用的方法,該方法
一般來說復(fù)雜邏輯功能的邏輯電路的糾錯(cuò)是不容易實(shí)現(xiàn)的。
大多數(shù)企業(yè)需要訪問數(shù)據(jù)中心進(jìn)行數(shù)據(jù)計(jì)算和存儲(chǔ)。隨著企業(yè)的發(fā)展,對(duì)數(shù)據(jù)處理和存儲(chǔ)的需求不斷增加,要求企業(yè)通過增加更多存儲(chǔ)器來實(shí)現(xiàn)橫向
當(dāng)我們完成設(shè)計(jì)并將其送到制造廠后,如果我們的產(chǎn)品存在大量可制造性設(shè)計(jì)(DFM)錯(cuò)誤,那么便會(huì)造成產(chǎn)品擱置。這種情況不僅令人沮喪,而且
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