長江存儲全國產(chǎn)化產(chǎn)線今年試產(chǎn)！
2025-07-23 08:22:54 EETOP自2022年底被美國商務(wù)部列入實體清單后，中國NAND Flash制造商長江存儲已經(jīng)無法取得美系先進晶圓制造設(shè)備、但該公司未因此停下腳步，據(jù)國外科技媒體Tom′s Hardware引用市場消息指出，長江存儲不僅預(yù)計2024年底將月產(chǎn)能提升至13萬片，更計劃至2026年底挑戰(zhàn)全球NAND Flash產(chǎn)量的15%。 此外，長江存儲正推動一條全國產(chǎn)設(shè)備試驗生產(chǎn)線，成規(guī)避美國制裁的方式之一。
長江存儲在2024年底前將實現(xiàn)月產(chǎn)能約13萬片，預(yù)計在2025年增產(chǎn)至15萬片，對應(yīng)全球NAND Flash供應(yīng)約8%。 這一成長主要得益于其第五代3D TLC NAND（X4-9070）正式投產(chǎn)，該產(chǎn)品采用294層堆疊架構(gòu)，位密度顯著提升，接口速度達3600 MT/s。 而即便長江存儲從ASML、Applied Materials、KLA等國際設(shè)備供應(yīng)商取得新設(shè)備的能力受限，但其仍計劃大規(guī)模導(dǎo)入自研技術(shù)與國產(chǎn)設(shè)備，支撐其位成長率目標遠高于整體市場的10%~15%。
為擺脫依賴外國設(shè)備，長江存儲已著手建設(shè)一條僅完全依賴國產(chǎn)工具的的試驗線，預(yù)計于2025年下半年開始試產(chǎn)。 這是因應(yīng)美國管制128層堆疊以上堆疊技術(shù)設(shè)備出口后的對策，亦是中國芯片設(shè)備自主化的重要試金石。 根據(jù)市場分析師的分析指出，一旦該試驗線獲得成功，將有助于長江存儲擴大規(guī)模量產(chǎn)的可能性，并朝向100%設(shè)備國產(chǎn)化邁進。 市場評估，若長江存儲能將月產(chǎn)量提升至 20 萬片，將具備影響全球 NAND Flash 價格走勢的話語權(quán)。
產(chǎn)品路線方面，長江存儲除1TB X4-9070外，2025年稍晚將推出3DQLC X4-6080，可能延續(xù)294層堆疊，至2026年量產(chǎn)2TB 3D TLC X5-9080與3DQLC X5-6080，后者將支持4,800MT/s高速接口。 下代架構(gòu)預(yù)期將超過300層堆棧，藉此提升每片晶圓的位輸出，即使制程時間增加、月投片數(shù)下降，也能維持總產(chǎn)出成長。
2022年美國規(guī)定，禁止美系企業(yè)向中國輸出可制造128層堆疊以上3D NAND Flash的設(shè)備，但長江存儲利用串堆疊技術(shù)成功繞過。 至今尚無證據(jù)顯示該公司自禁令后取得新美制設(shè)備，但仍靠既有工具維持先進NAND Flash產(chǎn)品線的開發(fā)與制造。
展望未來，長江存儲期望在2026年前達成全球NAND Flash市場份額15%愿景，并中國內(nèi)需市場超過30%市占。 但試驗線仍處初期階段，能否順利放量、規(guī)模量產(chǎn)尚未明朗，特別在良率、制造成本與技術(shù)可靠性三方面仍有挑戰(zhàn)。 盡管如此，長江存儲快速擴產(chǎn)、設(shè)備國產(chǎn)化領(lǐng)先與資本投入策略，已成為中國半導(dǎo)體自主化最具代表性的企業(yè)之一。
報告顯示，長江存儲最新的“Xtacking 4.0”芯片在性能上與市場領(lǐng)導(dǎo)者相當，不過由于在極紫外光刻（EUV）等關(guān)鍵領(lǐng)域中國仍存在差距，這使得持續(xù)增長將取決于縮小設(shè)備和產(chǎn)量差距的能力。
EETOP 官方微信
創(chuàng)芯大講堂 在線教育
半導(dǎo)體創(chuàng)芯網(wǎng) 快訊
相關(guān)文章
