長江存儲全國產化產線今年試產！
2025-07-23 08:22:54 EETOP自2022年底被美國商務部列入實體清單后，中國NAND Flash制造商長江存儲已經無法取得美系先進晶圓制造設備、但該公司未因此停下腳步，據國外科技媒體Tom′s Hardware引用市場消息指出，長江存儲不僅預計2024年底將月產能提升至13萬片，更計劃至2026年底挑戰全球NAND Flash產量的15%。 此外，長江存儲正推動一條全國產設備試驗生產線，成規避美國制裁的方式之一。
長江存儲在2024年底前將實現月產能約13萬片，預計在2025年增產至15萬片，對應全球NAND Flash供應約8%。 這一成長主要得益于其第五代3D TLC NAND（X4-9070）正式投產，該產品采用294層堆疊架構，位密度顯著提升，接口速度達3600 MT/s。 而即便長江存儲從ASML、Applied Materials、KLA等國際設備供應商取得新設備的能力受限，但其仍計劃大規模導入自研技術與國產設備，支撐其位成長率目標遠高于整體市場的10%~15%。
為擺脫依賴外國設備，長江存儲已著手建設一條僅完全依賴國產工具的的試驗線，預計于2025年下半年開始試產。 這是因應美國管制128層堆疊以上堆疊技術設備出口后的對策，亦是中國芯片設備自主化的重要試金石。 根據市場分析師的分析指出，一旦該試驗線獲得成功，將有助于長江存儲擴大規模量產的可能性，并朝向100%設備國產化邁進。 市場評估，若長江存儲能將月產量提升至 20 萬片，將具備影響全球 NAND Flash 價格走勢的話語權。
產品路線方面，長江存儲除1TB X4-9070外，2025年稍晚將推出3DQLC X4-6080，可能延續294層堆疊，至2026年量產2TB 3D TLC X5-9080與3DQLC X5-6080，后者將支持4,800MT/s高速接口。 下代架構預期將超過300層堆棧，藉此提升每片晶圓的位輸出，即使制程時間增加、月投片數下降，也能維持總產出成長。
2022年美國規定，禁止美系企業向中國輸出可制造128層堆疊以上3D NAND Flash的設備，但長江存儲利用串堆疊技術成功繞過。 至今尚無證據顯示該公司自禁令后取得新美制設備，但仍靠既有工具維持先進NAND Flash產品線的開發與制造。
展望未來，長江存儲期望在2026年前達成全球NAND Flash市場份額15%愿景，并中國內需市場超過30%市占。 但試驗線仍處初期階段，能否順利放量、規模量產尚未明朗，特別在良率、制造成本與技術可靠性三方面仍有挑戰。 盡管如此，長江存儲快速擴產、設備國產化領先與資本投入策略，已成為中國半導體自主化最具代表性的企業之一。
報告顯示，長江存儲最新的“Xtacking 4.0”芯片在性能上與市場領導者相當，不過由于在極紫外光刻（EUV）等關鍵領域中國仍存在差距，這使得持續增長將取決于縮小設備和產量差距的能力。
