1,000層3D NAND Flash 生產設備已就緒
2024-08-02 09:10:18 EETOP
過去，泛林集團的低溫蝕刻已被用于超過500萬片晶圓的生產，而最新技術是3D NAND Flash閃存生產領域的一項重大技術突破。Lam Cyro 3.0 能以埃米級精度創建高深寬比 （High Aspect Ratio） 的圖形特征，同時降低對環境的影響，這使得蝕刻的速度是傳統介電技術的兩倍多。
泛林集團還強調，Lam Cryo 3.0是針對客戶克服AI時代關鍵NAND Flash閃存制造障礙所需的蝕刻技術。因為在現有3D NAND Flash閃存的生產中，需要借由從組件頂部至底部的細長垂直孔道將各層的儲存單元連接起來。而在孔道構建過程中，即使圖形特征與目標輪廓出現僅原子級的輕微誤差，也可能對儲存產品的電氣性能產生負面影響，并可能影響良率。
為解決以上的問題，泛林集團的 Lam Cryo 3.0 結合了高能密閉式等離子反應器、遠低于 0°C 工作溫度、以及新的化學蝕刻物質，可蝕刻出深寬比達 50：1、深度達 10μm 的通道，同時從頂部到底部的特征關鍵尺寸偏差不到 0.1%。這樣的情況，在相較傳統介電技術上，Lam Cryo 3.0技術的蝕刻速度是前者的2.5倍，能耗降低了40%，排放量更減少了90%。因此，能為接下來高層數堆疊，也就是目標1,000層堆棧的3D NAND Flash快閃存儲器帶來優秀的解決方案。
