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當(dāng)談到3D NAND單元效率時(shí)，垂直單元效率（VCE）在NAND單元工藝、設(shè)計(jì)、集成和器件操作中尤為重要。隨著堆疊總門數(shù)的增加，單元的VC孔高度也隨之增加。為了減少VC高度和長寬比，其中一種方法是通過減少虛擬門、通道門和選擇門的數(shù)量來提高垂直單元效率。垂直單元效率可以定義為總門數(shù)中有效單元的百分比，這意味著它可以通過有效WL數(shù)除以集成總門數(shù)來計(jì)算。

例如，一個(gè)NAND串由有效WL、通道WL（虛擬WL）和選擇器（源端和漏端）組成。如果它有96個(gè)有效WL和115個(gè)總門數(shù)，那么垂直單元效率為83.5%，可以通過96除以115得到。垂直單元效率越高，對于工藝集成、較低的長寬比和較低的吞吐量越有利。

3D NAND垂直單元效率趨勢：三星、SK hynix/Solidigm、美光、鎧俠/西數(shù)、長江存儲

• 三星在每一代產(chǎn)品中都有最高的VCE。例如，128L的單層結(jié)構(gòu)VCE為94.1%，176L的COP V-NAND為92.1%，236L的第二代COP V-NAND為94.8%。

• SK hynix 238L有259個(gè)總門數(shù)，VCE為91.9%，仍低于三星的236L。

• 長江存儲232L Xtacking3的VCE為91.7%，位居第三。

• 美光232L為91%。

• 鎧俠162L的VCE稍低，為88%。