長江存儲、三星、SK海力士、美光、鎧俠 2xx層3D NAND垂直單元效率比較
2024-07-04 11:44:34 techinsights原文鏈接：
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當談到3D NAND單元效率時，垂直單元效率（VCE）在NAND單元工藝、設計、集成和器件操作中尤為重要。隨著堆疊總門數的增加，單元的VC孔高度也隨之增加。為了減少VC高度和長寬比，其中一種方法是通過減少虛擬門、通道門和選擇門的數量來提高垂直單元效率。垂直單元效率可以定義為總門數中有效單元的百分比，這意味著它可以通過有效WL數除以集成總門數來計算。
例如，一個NAND串由有效WL、通道WL（虛擬WL）和選擇器（源端和漏端）組成。如果它有96個有效WL和115個總門數，那么垂直單元效率為83.5%，可以通過96除以115得到。垂直單元效率越高，對于工藝集成、較低的長寬比和較低的吞吐量越有利。
3D NAND垂直單元效率趨勢：三星、SK hynix/Solidigm、美光、鎧俠/西數、長江存儲
三星在每一代產品中都有最高的VCE。例如，128L的單層結構VCE為94.1%，176L的COP V-NAND為92.1%，236L的第二代COP V-NAND為94.8%。
SK hynix 238L有259個總門數，VCE為91.9%，仍低于三星的236L。
長江存儲232L Xtacking3的VCE為91.7%，位居第三。
美光232L為91%。
鎧俠162L的VCE稍低，為88%。
