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根據(jù)KeyBanc Capital Markets的報告，臺積電的N2制程目前表現(xiàn)出卓越的領(lǐng)先優(yōu)勢。 截至2025年中期，臺積電的N2制程良率大約達到65%，這項數(shù)據(jù)顯著的超越了其主要競爭對手，這使得臺積電在全球晶圓代工領(lǐng)域持續(xù)保持領(lǐng)導地位。

報告指出，為了鞏固并擴大這一領(lǐng)先優(yōu)勢，臺積電正持續(xù)投入于N2制程的良率提升工作，公司目標是在2026年前將N2制程良率進一步提升至接近75%的水平。 為達成此一目標，臺積電的制程工程師們正積極解決多項技術(shù)挑戰(zhàn)，包括多重圖案極紫外光（EUV）曝光中的拼接（stitching）問題與疊對（overlay）控制。 這些技術(shù)改進對于確保晶圓上的電路圖案精確對準至關(guān)重要，直接影響最終產(chǎn)品的良率與性能。

此外，臺積電還在進行工具與制程層面的全面優(yōu)化，例如部署先進的薄膜（pellicle）以減輕光罩顆粒污染的影響。 這些細致入微的優(yōu)化措施，共同推動N2制程的良率向更高點邁進，確保臺積電在未來的芯片制造市場中保持強勁的競爭力。

相較于臺積電，英特爾的Intel 18A制程良率目前位居第二，進步幅度也令人矚目。 截至報告發(fā)布之際，Intel 18A制程的良率為55%。 值得注意的是，這一數(shù)字反映了其在前一季50%的良率基礎(chǔ)上達成了顯著改善的目標，這代表英特爾在制程優(yōu)化和缺陷減少方面取得了積極成效。

英特爾的未來發(fā)展路線，包含了一系列雄心勃勃的計劃。其中，預計Panther Lake處理器將在2025年底前開始使用Intel 18A制程進行大規(guī)模生產(chǎn)。報告預期，通過持續(xù)的制程優(yōu)化和缺陷減少措施，英特爾有潛力將Intel 18A制程的良率推升至65%至75%的范圍內(nèi)。 如果這一改進能實現(xiàn)，將使英特爾的良率超越三星。

展望更遠的未來，英特爾已規(guī)劃在2026年下半年推出Intel 18A-P的改良版，此版本將專為大量晶圓代工客戶量身訂制。 Intel 18A-P 的技術(shù)增強將牽涉修改光罩，以及進一步的鰭片邊緣平滑處理，這些措施目的減少圖案錯誤和缺陷。 如果Intel 18A-P制程能夠維持與原本Intel 18A制程相當?shù)牧悸?，市場?a href="http://www.xebio.com.cn/cpu_soc" target="_blank" class="keylink">英特爾晶圓代工業(yè)務(wù)的預期將顯著提升。

報告強調(diào)，盡管業(yè)界有傳聞表示，英特爾可能加速其發(fā)展路線，跳過Intel 18A-P直接進入Intel 14A制程，但報告認為，這種情況發(fā)生的可能性不大。 報告指出，Intel 18A-P相對于臺積電N2制程的競爭力，以及Intel 14A制程預計在2027年底，或2028年初才能開始生產(chǎn)的時間點，都使得跳過節(jié)點的策略既充滿風險，又具作復雜性。 這代表英特爾更傾向于穩(wěn)健的推進其既定路線，逐步提升技術(shù)成熟度與良率。

最后，與臺積電和英特爾形成鮮明對比的是，三星的2納米制程。 其代號為 SF2 的制程技術(shù)尚未展現(xiàn)出有意義的良率提升。 目前，SF2的產(chǎn)量大約保持在40%的水平，這遠低于臺積電和英特爾的水平。 報告將三星SF2良率表現(xiàn)不佳歸因于多重因素，包括晶圓級缺陷問題，以及EUV圖案化能力的緩慢提升。

三星的下一代2納米節(jié)點制程目前預計在2027年初推出，然而，為了保持在先進制程領(lǐng)域的競爭力，三星將需要在此之前達到實質(zhì)性的良率提升，這對于三星而言是一項艱巨的任務(wù)。 因為其不僅需要解決當前的技術(shù)瓶頸，還需加速EUV相關(guān)的產(chǎn)能建設(shè)與良率優(yōu)化，才有機會能迎頭趕上臺積電和英特爾的腳步。

總而言之，截至2025年中期，臺積電的N2制程以65%的良率遙遙領(lǐng)先，并設(shè)定了更高的良率目標。 英特爾的Intel 18A制程正迅速追趕，良率達到55%，并通過其路線展現(xiàn)出在未來達到與臺積電相近水平的潛力。至于，三星的SF2制程則面臨嚴峻的良率挑戰(zhàn)，僅為40%，其未來競爭力將取決于能否在短期內(nèi)實現(xiàn)顯著的技術(shù)突破和良率提升。 這場先進制程良率的競賽仍在持續(xù)進行，其結(jié)果將深刻影響全球科技產(chǎn)業(yè)的格局和未來發(fā)展。