鎵未來完成A+近億融資，加速突破中大功率應用場景
2022-05-26 10:25:43 EETOP近日，珠海鎵未來科技有限公司披露其已完成近億元A+輪融資，由順為資本、高瓴創投、盈富泰克聯合投資，深啟投資擔任獨家財務顧問。至今，這家專注于高端第三代半導體氮化鎵功率器件研發、生產、營銷和系統應用的綜合解決方案提供商，成立一年半已累計融資過2億。本輪融資將主要用于氮化鎵功率芯片新產品研發及應用方案開發，此外還將用于供應鏈建設。
據悉，鎵未來基于成熟技術平臺的產品已達到國際領先水平，多款650V氮化鎵產品實現了量產銷售, 成功進入低功率和大功率市場。目前，公司在核心創始人吳毅鋒博士的帶領下，正在擴展產品線，實現封裝和配件芯片的國產化，并且已開啟了新一代技術平臺的研發，未來產品性能將進一步提升，成本進一步下降。與其他友商不同，鎵未來不但開發應用于手機/筆記本PD快充上的產品，同時直接突破中大功率應用場景。
（鎵未來珠海總部辦公司）
嶄露頭角，吸引一線機構加注
在創辦后一年多的時間里，相較于所處賽道的熱度，鎵未來團隊要低調得多，但實際上其一直在馬不停蹄地進行著人才建設、產品研發、供應鏈布局。
談及自己的創業初衷，吳毅鋒博士表示：“氮化鎵功率器件在消費電子、通訊、數據中心、照明、家電、伺服電機、光伏、新能源汽車和電力系統等領域有廣闊的應用前景，并且全球功率半導體的應用和制造80%-90%都在中國，產業土壤非常好。”他自上世紀90年代開始對氮化鎵進行研究，是112項原始專利的發明人，最終毅然回國創業的核心原因正是中國功率半導體的前景光明，且氮化鎵功率器件也得到了商用，市場逐步形成。
順為資本副總裁馬艷新認為：“氮化鎵代表了功率器件的未來，我們看好其在消費電子及通訊、工業、新能源等領域的應用。鎵未來是一家具備核心研發實力的創業企業，順為看好吳毅鋒博士及團隊在氮化鎵領域的技術積累，未來將持續賦能鎵未來的發展。”
盈富泰克副總經理李旼表示：“盈富泰克多年來專注于半導體產業鏈投資，也一直希望能在氮化鎵領域進行布局。吳毅鋒博士在氮化鎵發展初期就開始了相關研究，見證了整個賽道的發展，突破了多個技術難題，在他的帶領下，鎵未來站在了高起點上，盈富泰克也很高興能參與到項目的發展中。”
鎵未來董事長叢遠華表示：“有了本輪融資，公司的發展將邁上一個新臺階。鎵未來會充分利用相關資源，為股東創造更好的收益，為產業和社會做出應有的貢獻。”叢遠華同時是境成資本創始合伙人，最早參與投資孵化了鎵未來，協助其落地到橫琴粵澳深度合作區，目前正幫助鎵未來進行整合資源以及融資。
快充市場爆發，鎵未來快速導入產品和方案
在電力電子領域，氮化鎵功率器件具備效率上的絕對優勢。由于氮化鎵材料臨界擊穿電場高，電子遷移率高，氮化鎵功率器件在同一個關態阻斷電壓等級具有更高工作頻率和更低導通電阻等特性，電轉換損耗更低，不但提高效率節約電能，而且可使電源體積更小，實現更高的功率密度。
手機PD快充自2018年以來得到快速普及，低功率（以65W為代表）應用場景需求不斷釋放，第三代半導體氮化鎵功率器件賽道進入快速成長期。每年超10億臺智能手機疊加超2億臺平板和筆記本等消費電子產品的出貨量，吸引了主要玩家PI、Navitas、英諾賽科等都加入到了低功率氮化鎵功率器件市場的爭奪戰中。
鎵未來同樣由快充領域切入，既可以獲得市場的互動和及時反饋，也能夠獲取足夠基數的可靠性數據。核心創始人、IEEE Fellow吳毅鋒博士在氮化鎵領域有26年的技術積累，作為成功的連續創業者，歷任Cree公司器件科學家、Transphorm公司高級副總裁，曾帶領團隊開發并量產出全球首批600V以上商用GaN功率器件，將可靠性提升至業內領先。
在他的帶領下，去年鎵未來研發并量產了適用于30W-120W電源適配器的氮化鎵開關器件產品，主要應用于手機/筆記本快充中，在手訂單達數百萬顆，客戶由電商、ODM廠商、方案設計商向品牌客戶拓展。公司今年繼續推出適用于140W、200W、330W等低功率應用場景的高性能氮化鎵功率器件產品及電源整體解決方案。
鎵未來的征程是更高功率、更高耐壓的星辰大海
低功率產品是鎵未來布局的起點，但中大功率（500W以上）其實是其優勢和重點所在。
這一布局符合技術進步和市場發展趨勢：氮化鎵功率器件的應用場景正從已處于紅海競爭中的低功率消費電子向中大功率儲能、家電、電動工具等消費電子拓展，并逐步向ICT（通訊基站、服務器/區塊鏈）、工控、新能源、光伏、電力等工業場景延伸，經濟效益和市場潛力不容小覷；另外，對于提升能源使用效率、實現碳中和碳達峰，氮化鎵功率器件還具備極高的社會價值。
吳毅鋒博士舉例，氮化鎵技術可以讓單個5G基站或數據中心的單臺服務器，年節省用電約200-1,000度。此外，功率轉換的體積、重量可以降低20%-50%，變壓器、電容等耗材也相應減少。
鎵未來采用級聯結構型設計方案，在常開型GaN器件的源端串接一個常關型的低壓MOSFET，實現增強型器件。通過器件集成的優化設計與先進封裝，克服了傳統級聯結構的缺點，實現了高速而穩定的特性。采用GaN天然的常開特性可以避免制作常關型GaN器件工藝引入的缺陷，加上先進的設計和成熟制作技術，鎵未來的產品動態特性優秀，可靠性高。由于其柵極是常規的Si MOSFET，柵極抗噪聲、抗沖擊能力強，兼容Si基功率開關電路的柵極驅動。而且可以封裝成插件形式，適合大功率應用場景，應用功率范圍可覆蓋30W-4,000W。
市場上主流結構還有直驅型、以p-GaN柵極為代表的常關型，技術路線各有優勢，也各有自己需要克服的技術難點。不約而同，走這兩種技術路線的品牌商也在嘗試由低功率向中大功率布局，但1,000W以上仍然是一個很難突破的門檻。
鎵未來目前已經實現了800W 至 3,600W服務器電源和算力電源樣機開發和測試，相應的氮化鎵產品已陸續量產。據了解，鎵未來是國內唯一實現2,000W-4,000W高效電源達到96%鈦金能效標準的 650V 氮化鎵功率器件量產制造商。
無橋圖騰柱PFC可大幅度降低整流損耗，是氮化鎵功率器件在高效電源應用的一大特色，但通常需要成本較高的數字信號處理器(DSP)。今年4月，鎵未來與合作伙伴共同開發，再次率先實現了業界第一款采用控制IC的700W智能混合信號無橋圖騰柱PFC + LLC量產電源解決方案，不需要DSP。其滿載效率高達96.72%，符合80PLUS鈦金能效。這一技術將進一步加速氮化鎵的應用步伐。
（700W圖騰柱PFC + LLC電源方案）
除了在650V領域一直保持創新外，鎵未來成立之初就與國家電網相關企業合作開發適用于智能電表電源模塊及國家電網工業電源模塊的900V級別高可靠性氮化鎵開關器件，并計劃2022年開始逐步導入產品。當前中國電網中存量的電源模塊有幾億臺，應用場景市場規模相當可觀。而鎵未來目前是國內第一家能夠量產通過JEDEC可靠性驗證標準的900V級別氮化鎵功率器件的供貨商。
布局新一代中大功率技術平臺，三年內成長為行業頭部企業
充分發揮研發能力，放大核心優勢，鎵未來瞄準技術壁壘更高、附加值更高的中大功率領域，并且從吸納人才、穩定成熟工藝的供應鏈、降低成本三方面布局新一代中大功率技術平臺，力爭三年內成為覆蓋全應用場景的行業頭部企業。
氮化鎵在效率上具有絕對優勢，且屬于我國重點扶持領域，發展不可謂不迅速，但制約其發展的因素也同樣不可忽視——除了我國相關高層次人才緊缺，還有晶圓制造環節缺失長期積累下來的工藝技術，以及成本較高的瓶頸制約。
我國半導體人才長期存在緊缺問題，根據工信部數據，我國半導體從業人才缺口長期達30萬。化合物半導體產業人才的培養周期本身比較長，至少需要3-5年時間，能夠從事氮化鎵研發的人才更加緊缺。而從國際上吸引人才，就成為了最現實的選項，同時也考驗項目研發帶頭人的核心技術實力。
吳毅鋒博士無疑是鎵未來核心研發實力的體現，看到國內未來產業前景的他毅然購買單程機票回國創業。這位世界級氮化鎵專家的創業決心迅速吸引了Cree/TI/AOS/華為/INTEL/Littelfuse/新加坡GF等國內外知名企業的中堅人才慕名加入，從而實現了鎵未來在芯片研發、封裝測試、生產導入、可靠性驗證、質量控制和應用系統方案等各環節人才配置上的完整和優異。
在晶圓制造環節，鎵未來依托良率可達95%以上的海外晶圓廠，保證了國際競爭層面生產工藝和成本的領先，并將具備國產化替代條件的配件和生產環節進行國產化轉移。 經過一年的研發，鎵未來的產品已逐步實現國產化配件芯片與封裝測試，不單擴足了產能，且成本可降低20%-40%。
目前，鎵未來已啟動下一代中大功率器件平臺的研發，計劃實現國內中大功率氮化鎵功率器件產品性價比新的突破。
“我們實際具備做出6,000W以上的大功率芯片并量產的技術實力，已經開始布局新一代中大功率技術平臺，預計兩三年內新技術平臺產品可以實現量產，這不僅在中國是領先的，在世界上也是領先的。”吳毅鋒博士說。
同時，吳毅鋒博士認為：“每一次產品的迭代不僅僅是性能得到提高，成本同樣也很重要。目前氮化鎵功率器件成本是Si MOSFET器件的1.8-2倍，鎵未來計劃在三年內可以實現成本的大幅降低。這是打破氮化鎵應用瓶頸的關鍵節點，鎵未來正在從研發設計、供應鏈建設兩個主要方面進行努力。”
鎵未來對于自身發展和研發格局的定位，不局限于已經具有成熟產品和方案的低功率領域，也不局限于目前三代半有優勢的領域，其著眼的是整個功率器件行業，對于替代傳統硅器件有著更高的目標和展望。
董事長叢遠華表示：“我們的芯片是綠色芯片的杰出代表，全球用電設備僅在功率轉換這塊用我們的產品就可以有效地節省電力和相關耗材，對于全球碳中和有非常巨大且深遠的影響，也是第三代寬禁帶半導體成為‘十四五’規劃發力重心之一的重要原因。”
關于鎵未來：珠海鎵未來科技有限公司成立于2020年10月，致力于高端氮化鎵功率器件的研發、設計和生產，為客戶提供更高效率、更小體積、更低成本的硅基氮化鎵器件產品和整體解決方案。 鎵未來與Transphorm （納斯達克股票代碼： TGAN ）、 GaNovation（JCP Capital和Transphorm合資公司）已建立了強大的合作伙伴關系，以實現氮化鎵功率電子在中國市場的快速擴張。公司已有多款產品實現量產，且在核心創始人吳毅鋒的率領下展開全球前沿的氮化鎵功率器件新一代技術平臺的研發。 鎵未來的技術聚焦于提高能源利用效率，助力碳達峰、碳中和遠大目標的實現。鎵未來——鎵馭功率電子未來。
