2021年DRAM市場排名出爐:三巨頭壟斷了94%的市場份額!
2022-05-26 09:25:11
EETOP
點(diǎn)擊關(guān)注->創(chuàng)芯網(wǎng)公眾號,后臺告知EETOP論壇用戶名,獎(jiǎng)勵(lì)200信元
EETOP 5月26日消息,近期IC Insights 發(fā)布了2021年DRAM市場排名。
IC Insights表示,在過去的 30 年中,DRAM 市場的特點(diǎn)是經(jīng)歷了驚人的增長期和多年的毀滅性崩潰(圖 1)。最近,DRAM 市場在 2019 年下降了37%,但在 2021 年又飆升了 42%。不管是什么原因——應(yīng)該有很多——繁榮-蕭條周期使主要 DRAM 供應(yīng)商的數(shù)量從 1990 年代中期的 20 家減少到了今天只有的 6 家。三星、SK 海力士和美光這三大巨頭供應(yīng)商在 2021 年共同持有 94% 的DRAM 市場份額(圖 2)。去年,總部位于韓國的三星和 SK海力士占全球 DRAM 銷售額的 71.3%。憑借 44% 的市場份額,三星在 2021 年仍然是全球最大的 DRAM 供應(yīng)商,銷售額達(dá)到近 419 億美元。三星去年在多個(gè)方面推進(jìn)了其 DRAM 業(yè)務(wù)。在 2020 年 3 月率先使用極紫外 (EUV) 光刻技術(shù)后,三星于 2021 年 10 月開始批量生產(chǎn)基于 EUV 的14nm DRAM。在此過程中,三星將其最先進(jìn)的 14nm DDR5 上的 EUV 層數(shù)從兩層增加到了五層DRAM工藝。2021 年 11 月,三星表示已應(yīng)用其 EUV 技術(shù)開發(fā) 14nm 16Gb 低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率 5X (LPDDR5X) DRAM,專門用于 5G、人工智能 (AI)、機(jī)器學(xué)習(xí) (ML) 等高速應(yīng)用大數(shù)據(jù)最終用途。該公司聲稱 LPDDR5X DRAM 提供高達(dá) 8.5Gbps 的數(shù)據(jù)處理速度(比現(xiàn)有的 6.4Gbps LPDDR5 快 1.3 倍),并且它的功耗比 LPDDR5 內(nèi)存低 20% 左右。

圖1

圖2
三星還推出了其首款支持新的 Compute Express Link (CXL) 互連標(biāo)準(zhǔn)的 DRAM 內(nèi)存模塊,并推出了專為自動(dòng)駕駛電動(dòng)汽車和高性能信息娛樂系統(tǒng)設(shè)計(jì)的 2GBGDDR6 和 2GB DDR4 汽車 DRAM。
排名第二是 SK 海力士,在 2021 年占據(jù) 28% DRAM 市場份額的,其 DRAM 銷售額增長 39% 至 266 億美元。DRAM 約占公司 2021 年半導(dǎo)體總銷售額的 71%。其 DRAM 總銷售額分成:服務(wù)器 DRAM,40%;移動(dòng) DRAM,35%;15% 來自 PC DRAM;消費(fèi)和圖形DRAM各占5%。2021 年,SK 海力士發(fā)布了據(jù)稱是業(yè)界性能最高的 DDR5 DRAM,其數(shù)據(jù)速度能夠每秒傳輸 163 部全高清電影。該芯片被稱為 HBM3,因?yàn)樗呛Aκ康牡谌邘拑?nèi)存。與三星一樣,SK 海力士也開始使用 EUV 光刻技術(shù)量產(chǎn) 8Gb LPDDR4 DRAM,其基于其第四代 10nm 級工藝,稱為 1-alpha (1a nm) 工藝。美光是 2021 年第三大 DRAM 供應(yīng)商,銷售額為 219 億美元。美光的 DRAM 銷售額增長了 41%,占全球市場份額的 23%。總體而言,DRAM 約占美光 300 億美元全年IC 總銷售額的 73%。2021 年,美光推出了其 1a nm 內(nèi)存節(jié)點(diǎn),該節(jié)點(diǎn)的設(shè)計(jì)部分是為了支持?jǐn)?shù)據(jù)中心向 DDR5 DRAM 的過渡,受新 CPU 平臺的推動(dòng),這些平臺預(yù)計(jì)將在今年晚些時(shí)候開始爬坡,并在 2023 年獲得發(fā)展勢頭。美光的 1a nm DRAM還應(yīng)用于低功耗通信應(yīng)用,包括 5G 智能手機(jī)。與三星和海力士不同,美光并沒有采用EUV 光刻的技術(shù)制造其 1anm DRAM。然而,該公司已經(jīng)訂購了 EUV 設(shè)備,并計(jì)劃從2024 年開始過渡到 EUV 技術(shù),以使用其 1-gamma(1g) nm 節(jié)點(diǎn)制造其 DRAM。
關(guān)鍵詞:
DRAM
DDR5
LPDDR4
LPDDR5