我國第三代半導(dǎo)體將全面爆發(fā)：5G/新能源車推動(dòng)國產(chǎn)化替代
2020-11-26 09:08:05 快科技據(jù)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長吳玲透露，雙循環(huán)模式推動(dòng)國產(chǎn)化替代，2020年中國SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）電力電子和微波射頻產(chǎn)值預(yù)計(jì)將約為70億元。
市場(chǎng)規(guī)模擴(kuò)大，5G加速推進(jìn)GaN射頻應(yīng)用迅猛增長，2020年中國GaN射頻器件市場(chǎng)規(guī)模約170億元；新能源汽車及消費(fèi)電子成為突破口，2020年中國電力電子器件應(yīng)用市場(chǎng)規(guī)模58.2億元。
吳玲建議，探索構(gòu)建第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新生態(tài)，摸索“平臺(tái)+孵化器+基金+基地”以及大中小企業(yè)融通發(fā)展的新模式，加強(qiáng)精準(zhǔn)的國際與區(qū)域深度合作，共同努力使全鏈條進(jìn)入世界先進(jìn)行列。
需要注意的是，氮化鎵的應(yīng)用范圍不只在快充、智能手機(jī)等消費(fèi)類電子領(lǐng)域，還有數(shù)據(jù)中心、柔性供電等工業(yè)領(lǐng)域，以及自動(dòng)駕駛、車載充電機(jī)等汽車領(lǐng)域。如，低壓氮化鎵可應(yīng)用于新一代大數(shù)據(jù)中心，以減少占地、提高功率、降低能耗。
第三代半導(dǎo)體另一個(gè)重要產(chǎn)品碳化硅，則將受益于電動(dòng)汽車行業(yè)的快速成長而迎來爆發(fā)機(jī)會(huì)。
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