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聯電大舉購置新機臺,積極布局8英寸第三代半導體制造

2022-05-09 10:47:37 EETOP
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據中國臺灣媒體經濟日報報道,聯電晶圓代工成熟制程訂單滿手沖之際,正在積極布局當紅的第三代半導體,搶攻難度更高、經濟效益更好的8吋晶圓第三代半導體制造領域,近期大舉購置新機臺擴產,預計下半年進駐廠區,躋身業界領先行列,為后續獲利增添動能。
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報道稱,「聯家軍」出身的大將已在臺灣地區的第三代半導體搶下一片天,以聯電前資深副總經理徐建華退休后,轉戰漢磊投控,出任漢磊投控旗下漢磊與嘉晶兩家公司董事長,并成功帶領漢磊與嘉晶量產第三代半導體產品最為著名,聯電此刻發展第三代半導體火力全開,進軍難度更高的8吋領域,凸顯集團能量豐沛。

聯電先前第三代半導體布局,主要透過轉投資聯穎切入,鎖定6吋氮化鎵產品,主要考慮目前業界氮化鎵整體解決方案提供者較少,聯穎正在進行技術平臺建置,完成后會把平臺開放給設計公司客戶使用,擴大接單利基。

供應鏈則透露,聯電近期擴大第三代半導體布局,自行購置蝕刻、薄膜新機臺,預計下半年將進駐8吋AB廠,瞄準8吋晶圓生產第三代半導體的經濟效益優于6吋晶圓的方向,全力搶第三代半導體商機。

聯電CFO劉啟東對此回應,集團在第三代半導體的發展上,仍以聯穎為主,聯電則進行研發,不過確實有在合作,但細節不便透露。

業界分析,第三代半導體薄膜厚度比一般晶圓代工還厚,很容易導致晶圓彎曲,考慮制程難度,目前業界發展第三代半導體多以6吋為主。

不過,6吋晶圓半徑是5公分,8吋晶圓半徑則是10公分,所以8吋相對6吋,一片可以產出的晶片量會「多出很多」,在經濟效益較高的前提下,聯電切入8吋第三代半導體領域。

隨著5G、電動車等新應用百花齊放,對高頻、高速運算、高速充電需求大增,傳統以硅及砷化鎵為材料的第一代與第二代半導體在溫度、頻率、功率等已達極限,無法用于嚴苛環境,加上全球開始重視碳排放問題,具備高能效、低能耗的第三代半導體成為市場當紅炸子雞,也為聯電開啟新的獲利方程式。

聯電今年首季表現亮眼,單季毛利率更是季增4.3個百分點、突破四成大關,來到43.4%,并預期本季持續向上,顯現聯電持續開發特殊制程的效益顯現,伴隨跨大步推進第三代半導體版圖。

關鍵詞: 第三代半導 氮化鎵 聯電

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