傳三星研發(fā)13nm DRAM失利，從14nm到13nm跨越僅1nm，但非常困難！
2022-04-17 11:39:44
EETOP
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DRAM 工藝與邏輯工藝一樣，在20nm節(jié)點(diǎn)開(kāi)始漸漸陷入難以制造的問(wèn)題。三星作為全球的DRAM 一哥，一直走在技術(shù)研發(fā)的前列，但在面對(duì)新一代DRAM 技術(shù)的研發(fā)上陷入困境，近期甚至有報(bào)道稱(chēng)三星的13nm 工藝DRAM 已宣告失利。
DRAM 工藝從20nm 節(jié)點(diǎn)開(kāi)始就使用了不同的斷代方法，此前使用的是1x、1y、1z工藝，后來(lái)有了1α、1β和1γ工藝。雖然是這么說(shuō)，但三星、SK Hynix 和美光三大DRAM 巨頭的實(shí)際工藝卻不完全符合，有時(shí)候公布的是采用數(shù)字+nm 進(jìn)行命名，所以現(xiàn)在的DRAM 工藝命名存在一些混亂。目前三星的DRAM 工藝是最先進(jìn)的，在2020年率先研發(fā)出1z 工藝DRAM ，大概是在15nm 級(jí)別工藝。隨后在2021年宣告研發(fā)成功1α工藝DRAM ，換算下來(lái)是在14nm 級(jí)別工藝，還是首次使用了EUV 光刻工藝。再往后是1β 工藝，大概在12-13nm 級(jí)別工藝。Samsung 于去年宣布成立專(zhuān)門(mén)的研發(fā)團(tuán)隊(duì)進(jìn)行攻克，但近期有消息稱(chēng)Samsung 已經(jīng)停止了相關(guān)研發(fā)，意味著13nm 級(jí)別工藝DRAM 技術(shù)研發(fā)被間接承認(rèn)失敗。三星的舉動(dòng)是否代表DRAM 工藝會(huì)在14nm 之后進(jìn)入停滯呢？三星表示會(huì)對(duì)研究方向進(jìn)行探討，似乎還在努力研究其可能性。當(dāng)下只知道在14nm 之后的研發(fā)工作會(huì)十分困難，很可能兩年時(shí)間都無(wú)法推前1nm 的工藝。
關(guān)鍵詞：
三星
半導(dǎo)體
Dram
