但近幾年,市場上開始出現將氮化鎵堆疊在硅基板上的技術(GaN on Si)。這種技術大幅降低化合物半導體的成本,用在生產處理數百伏特的電壓轉換,可以做到又小又省電。目前市面上已經可以看到,原本便當大小的筆電變壓器,已經能做到只有餅干大小,OPPO、聯想等公司,更積極要把這種技術內建在高端手機和筆記本電腦里。
3月1日,野村證券發表題為「A GaN Changer」的產業報告,認為未來2~3年,第3代半導體將重塑全球消費性電源市場,取代用硅制作的IGBT電源管理芯片。野村證券報告預估,2023年,這個市場產值每年將以6成以上速度成長。第3代半導體能源轉換效率能達到95%以上,一旦被大幅采用,「臺灣地區能省下一座核能電廠的電」。