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11 月 20 日消息 2020 年北京微電子國(guó)際研討會(huì)暨 IC WORLD 學(xué)術(shù)會(huì)議本周在京舉行，長(zhǎng)江存儲(chǔ)首席執(zhí)行官楊士寧出席發(fā)表講話。

楊士寧表示：雖然長(zhǎng)存的 64 層 3DNAND 只是我們第一個(gè)產(chǎn)品，但是這顆產(chǎn)品已經(jīng)做到了 Mate40 的旗艦機(jī)里面，在這里面我們看到了國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈彼此協(xié)同合作和未來(lái)長(zhǎng)遠(yuǎn)的發(fā)展機(jī)會(huì)。

此外，楊士寧還展示了 Xtacking 技術(shù)，表示：在這一方面，長(zhǎng)江存儲(chǔ)也是走在國(guó)際最前沿的；長(zhǎng)存的技術(shù)也是非常先進(jìn)的，以后可以委托給中芯國(guó)際；同時(shí)也要感謝國(guó)產(chǎn)同行的支持。他還表示，目前只有帶有 Xtacking 標(biāo)簽的終端產(chǎn)品才擁有真正國(guó)產(chǎn)閃存芯片（長(zhǎng)存芯片）。

此外，長(zhǎng)江存儲(chǔ)也公布了自己的路線圖，“長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3 年走了其他人 6 年走過(guò)的路”長(zhǎng)存的 128 層存儲(chǔ)（TLC/QLC）正在推進(jìn)。楊士寧表示 “我說(shuō)我們不做最后一名，我們肯定不做最后一名，但我跟我們比的都是有三四十年歷史的。雖然我還沒(méi)有宣布，但下一代，爭(zhēng)取在下一代走到最前沿，爭(zhēng)取作第一第二名。”

此前在第三方機(jī)構(gòu)對(duì)華為Mate 40系列手機(jī)進(jìn)行拆機(jī)時(shí)發(fā)現(xiàn)，這款旗艦手機(jī)采用的是華為自研SFS1.0閃存。雖然華為在發(fā)布會(huì)上沒(méi)有對(duì)此進(jìn)行介紹，但是在網(wǎng)友和媒體的測(cè)試當(dāng)中，這顆自研閃存性能奇高無(wú)比。

相比其他智能手機(jī)上的UFS3.1閃存，華為SFS1.0閃存的隨機(jī)讀寫速度幾乎翻倍。主流 UFS 3.1 機(jī)型的順序讀取速度平均約為1800MB/s左右，順序?qū)懭胨俣燃s為700MB/s左右，隨機(jī)寫入約在200-300M/s范圍中。在華為Mate 40 Pro的測(cè)試結(jié)果中，可發(fā)現(xiàn)該機(jī)連續(xù)讀取約為1966M/s，持續(xù)寫入1280M/s，隨機(jī)讀取383M/s，隨機(jī)寫入更是直接近乎翻倍地達(dá)到了548M/s。

當(dāng)時(shí)不少網(wǎng)友猜測(cè)，華為這顆自研閃存的顆粒可能來(lái)自三星，而主控則是華為自研。而SFS1.0閃存性能之所以如此強(qiáng)大，主要依靠華為自主研發(fā)的主控。

現(xiàn)在來(lái)看，當(dāng)時(shí)網(wǎng)友只猜對(duì)了一半。SFS1.0閃存性能遠(yuǎn)超UFS3.1確實(shí)主要依靠華為主控，但是其顆粒卻并非來(lái)自（或者并非全部來(lái)自）三星，既然長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)進(jìn)入Mate40供應(yīng)鏈，那么至少有一部分應(yīng)該是我們國(guó)產(chǎn)的存儲(chǔ)器了！

關(guān)于國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)

長(zhǎng)江存儲(chǔ)和長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)是我國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)的領(lǐng)頭者。其中紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)主要業(yè)務(wù)為動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存與 NAND Flash 制造，而長(zhǎng)鑫主要從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）方面的工作。