11 月 20 日消息 2020 年北京微電子國際研討會暨 IC WORLD 學術會議本周在京舉行，長江存儲首席執行官楊士寧出席發表講話。
楊士寧表示：雖然長存的 64 層 3DNAND 只是我們第一個產品，但是這顆產品已經做到了 Mate40 的旗艦機里面，在這里面我們看到了國內半導體產業鏈彼此協同合作和未來長遠的發展機會。
此外，楊士寧還展示了 Xtacking 技術，表示：在這一方面，長江存儲也是走在國際最前沿的；長存的技術也是非常先進的，以后可以委托給中芯國際；同時也要感謝國產同行的支持。他還表示，目前只有帶有 Xtacking 標簽的終端產品才擁有真正國產閃存芯片（長存芯片）。
此外，長江存儲也公布了自己的路線圖，“長江存儲 3 年走了其他人 6 年走過的路”長存的 128 層存儲（TLC/QLC）正在推進。楊士寧表示 “我說我們不做最后一名，我們肯定不做最后一名，但我跟我們比的都是有三四十年歷史的。雖然我還沒有宣布，但下一代，爭取在下一代走到最前沿，爭取作第一第二名。”
此前在第三方機構對華為Mate 40系列手機進行拆機時發現，這款旗艦手機采用的是華為自研SFS1.0閃存。雖然華為在發布會上沒有對此進行介紹，但是在網友和媒體的測試當中，這顆自研閃存性能奇高無比。
相比其他智能手機上的UFS3.1閃存，華為SFS1.0閃存的隨機讀寫速度幾乎翻倍。主流 UFS 3.1 機型的順序讀取速度平均約為1800MB/s左右，順序寫入速度約為700MB/s左右，隨機寫入約在200-300M/s范圍中。在華為Mate 40 Pro的測試結果中，可發現該機連續讀取約為1966M/s，持續寫入1280M/s，隨機讀取383M/s，隨機寫入更是直接近乎翻倍地達到了548M/s。
當時不少網友猜測，華為這顆自研閃存的顆粒可能來自三星，而主控則是華為自研。而SFS1.0閃存性能之所以如此強大，主要依靠華為自主研發的主控。
現在來看，當時網友只猜對了一半。SFS1.0閃存性能遠超UFS3.1確實主要依靠華為主控，但是其顆粒卻并非來自（或者并非全部來自）三星，既然長江存儲已經進入Mate40供應鏈，那么至少有一部分應該是我們國產的存儲器了！
關于國產存儲
長江存儲和長鑫存儲是我國半導體行業內的領頭者。其中紫光集團旗下的長江存儲主要業務為動態隨機存取內存與 NAND Flash 制造，而長鑫主要從事動態隨機存取存儲芯片（DRAM）方面的工作。
