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GAA 3納米落后三星18個月！另辟蹊徑出絕招，臺積電超越三星

2020-02-21 12:25:53 中時電子報
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臺積電5納米制程今年下半年進入量產，進度落后的競爭對手三星積極押注下一代制程追趕，兩家公司可望于3納米制程再度交手決戰高下，預期臺積電可能于4月29日北美技術論壇公布3納米最新進展，市調機構推估，臺積電將先采用FinFET（鰭式場效電晶體）3納米，之后在3或2納米后期階段才導入GAA（環繞閘極）制程技術。


在7納米、5納米制程，臺積電和三星都采用FinFET制程技術，不過跨入下一代3納米節點，三星已于去年底宣布采用GAA，跟7納米相較，其晶片面積減少45%，功耗降低50%，整體運算效能拉高35%。
 
市場研究機構IBS指出，臺積電于3納米之所以采用FinFET架構，原因在于想搶在2021年第3季正式進入量產，這速度超前三星快1季的時間。畢竟臺積電在GAA架構的開發落后三星12至18個月，因此延用3納米FinFET策略，可望彌補時程的劣勢。
 
臺積電可能會依據技術的發展路徑，改變3納米戰略，首先計劃采用3納米FinFET，之后或許會調整，在3或2納米的后期階段才導入GAA架構的制程技術。
隨著制程技術的提升，成本價格也不斷水漲船高，但并非所有芯片都需使用3納米或更先進制程，除了蘋果、華為、三星、高通等大廠未來推出的產品使用高端制程外，其他廠商不太需要搶用這部分的產能。

關鍵詞： GAA 3納米 臺積電

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