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臺媒:臺積電 2nm 制程研發取得突破,將切入 GAA 技術

2020-07-13 11:21:45 TechWeb
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臺積電沖刺先進制程,在 2nm 研發有重大突破,已成功找到路徑,將切入環繞式柵極技術 (gate-all-around,簡稱 GAA)技術。

臺積電

臺媒稱,三星已決定在 3nm 率先導入 GAA 技術,并宣稱要到 2030 年超過臺積電,取得全球邏輯芯片代工龍頭地位,臺積電研發大軍一刻也不敢松懈,積極投入 2nm 研發,并獲得技術重大突破,成功找到切入 GAA 路徑。

臺積電負責研發的資深副總經理羅唯仁,還為此舉辦慶功宴,感謝研發工程師全心投入。

臺積電 3nm 制程預計明年上半年在南科 18 廠 P4 廠試產、2022 年量產,業界以此推斷,臺積電2nm 推出時間將在 2023 年到 2024 年間。

臺積電今年 4 月曾表示,3nm 仍會沿用 FinFET(鰭式場效應晶體管)技術,主要考慮是客戶在導入 5nm 制程后,采用同樣的設計即可導入 3nm 制程,可以持續帶給客戶有成本競爭力、效能表現佳的產品 。

臺積電成立于 1987 年,是全球最大的晶圓代工半導體制造廠,客戶包括蘋果、高通等等。其總部位于臺灣新竹的新竹科學工業園區。臺積電公司股票在臺灣證券交易所上市,股票代碼為 2330,另有美國存托憑證在美國紐約證券交易所掛牌交易,股票代號為 TSM。
 


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關鍵詞: 臺積電 2nm GAA

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