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現(xiàn)在7nm工藝的戰(zhàn)爭臺積電方面明顯優(yōu)勢大于三星的，大部分廠家都向臺積電下了7nm的訂單，NVIDIA下一代GPU安培雖然會同時采用兩家的7nm工藝，但是大部分還是會交給臺積電生產，而且我們也知道臺積電現(xiàn)在加大了對5nm制程工藝的投入，據稱蘋果5nm A14處理器訂單已交給臺積電了，今年上半年即可量產。

但臺積電的勝利可能不是永遠的，日前，臺積電創(chuàng)始人張忠謀也表示，三星是很厲害的對手，目前臺積電暫時占據優(yōu)勢，但僅僅只是贏了一兩場戰(zhàn)役，整個戰(zhàn)爭還沒有結束。

根據韓國媒報道，三星現(xiàn)在已經向3nm制程邁出了第一步，他們已經攻克了3nm和1nm工藝所使用全能門（GAA）技術。三星的3nm工藝會使用GAA技術，而不是現(xiàn)在的FinFET，新的技術可以讓芯片面積減少35%，功耗下降約50%，與5nm FinFET工藝相比，同樣功耗情況下性能提升33%。

在3nm節(jié)點，三星用GAA MCFET（多橋通道FET）工藝取代了之前的FinFET工藝。根據最新消息，三星的3nm工藝整體表現(xiàn)要高于預期水平。

其實在一年前三星就開展了在3nm GAA工藝的工作，當時他們的目標是2021年實現(xiàn)量產，真是雄心勃勃，三星目標是要在2030年成為世界第一的半導體制作商。

GAA全能門與FinFET的不同之處在于，GAA設計圍繞著通道的四個面周圍有柵極，從而確保了減少漏電壓并且改善了對通道的控制，這是縮小工藝節(jié)點時的基本步驟，使用更高效的晶體管設計，再加上更小的節(jié)點尺寸，和5nm FinFET工藝相比能實現(xiàn)更好的能耗比。

近日，三星副董事長李在镕訪問了華城工廠的半導體研究中心，表示三星電子將是第一個開發(fā)3nm工藝技術的公司。李在镕分享了自己的愿景，即追隨內存，成為系統(tǒng)半導體領域的世界第一，并堅定了實現(xiàn)這一目標的意志。

反觀競爭對手臺積電，該公司也已經在規(guī)劃3nm制程量產，其位于南科的3nm廠環(huán)評已于去年順利通過，落腳在新竹的3nm研發(fā)廠房環(huán)評也順利通過初審，等到環(huán)評大會確認結論后，預計可順利趕上量產時程。

作為GAA技術的領頭羊，三星究竟能否借由3nm工藝翻盤，讓我們拭目以待。