三星發(fā)表業(yè)界首個(gè)12層3D-TSV芯片封裝工藝
2019-10-07 19:06:36 超能網(wǎng)17日上午，三星電子宣布他們成功研發(fā)了新的12層3D-TSV芯片封裝工藝，這是業(yè)界首個(gè)將3D TSV封裝推進(jìn)到12層的工藝，而此前最大僅為8層。
目前比較多見的，運(yùn)用到3D-TSV封裝技術(shù)的產(chǎn)品就是HBM顯存。TSV技術(shù)全稱硅穿孔（Through-silicon via），這種技術(shù)是在芯片內(nèi)部通過打孔填充金屬導(dǎo)電材料的方式來實(shí)現(xiàn)多層芯片間的互聯(lián)，與傳統(tǒng)的PoP（Package on Package）方式相比，它具有更快的速度和更高的密度。因此，它對(duì)于采用3D堆疊的芯片意義非凡。
而三星在3D-TSV技術(shù)領(lǐng)域中一直是處于領(lǐng)先地位的，新的12層DRAM封裝技術(shù)需要在整個(gè)封裝中開超過60000個(gè)TSV孔，每個(gè)孔的厚度不超過一根頭發(fā)的二十分之一。
采用新的12層3D-TSV封裝的芯片厚度仍然與現(xiàn)在的8層HBM2產(chǎn)品相同，為720μm。保持相同的厚度使得客戶無需對(duì)現(xiàn)有的設(shè)計(jì)進(jìn)行修改即可用上新的12層封裝產(chǎn)品，這意味著直接可以使用更大容量的產(chǎn)品。
三星電子TSP（測試與系統(tǒng)封裝）部門的執(zhí)行副總裁Hong-Joo Baek表示：
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