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東芝開發(fā)出業(yè)界首款2200V雙碳化硅（SiC）MOSFET模塊，助力工業(yè)設(shè)備的高效率和小型化

2023-08-29 13:32:38 東芝

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中國上海，2023年8月29日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出業(yè)界首款^[1]2200V雙碳化硅（SiC）MOSFET模塊---“MG250YD2YMS3”。新模塊采用東芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏極電流（DC）額定值為250A，適用于光伏發(fā)電系統(tǒng)和儲能系統(tǒng)等使用DC 1500V的應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。

類似上述的工業(yè)應(yīng)用通常使用DC 1000V或更低功率，其功率器件多為1200V或1700V產(chǎn)品。然而，預(yù)計未來幾年內(nèi)DC 1500V將得到廣泛應(yīng)用，因此東芝發(fā)布了業(yè)界首款2200V產(chǎn)品。

MG250YD2YMS3具有低導(dǎo)通損耗和0.7V（典型值）的低漏極-源極導(dǎo)通電壓（傳感器）^[2]。此外，它還具有較低的開通和關(guān)斷損耗，分別為14mJ（典型值）^[3]和11mJ（典型值）^[3]，與典型的硅（Si）IGBT相比降低了約90%^[4]。這些特性均有助于提高設(shè)備效率。由于MG250YD2YMS3可實現(xiàn)較低的開關(guān)損耗，用戶可采用模塊數(shù)量更少的兩電平電路取代傳統(tǒng)的三電平電路，有助于設(shè)備的小型化。

東芝將不斷創(chuàng)新，持續(xù)滿足市場對高效率和工業(yè)設(shè)備小型化的需求。

? 應(yīng)用：

工業(yè)設(shè)備

- 可再生能源發(fā)電系統(tǒng)（光伏發(fā)電系統(tǒng)等）

- 儲能系統(tǒng)

- 工業(yè)設(shè)備用電機控制設(shè)備

- 高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器等設(shè)備

? 特性：

- 低漏極-源極導(dǎo)通電壓（傳感器）：

VDS(on)sense＝0.7V（典型值）（ID＝250A、VGS＝＋20V、Tch＝25℃）

- 低開通損耗：

Eon＝14mJ（典型值）（VDD＝1100V、ID＝250A、Tch＝150℃）

- 低關(guān)斷損耗：

Eoff＝11mJ（典型值）（VDD＝1100V、ID＝250A、Tch＝150℃）

- 低寄生電感：

LsPN＝12nH（典型值）

? 主要規(guī)格：

（除非另有說明，Ta＝25℃）

器件型號				MG250YD2YMS3
東芝封裝名稱				2-153A1A
絕對最大額定值	漏源電壓VDSS（V）			2200
	柵源電壓VGSS（V）			＋25／－10
	漏極電流（DC）ID（A）			250
	漏極電流（脈沖）IDP（A）			500
	結(jié)溫Tch（℃）			150
	絕緣電壓Visol（Vrms）			4000
電氣特性	漏極-源極導(dǎo)通電壓（傳感器）： VDS(on)sense（V）	ID＝250A、VGS＝＋20V、 Tch＝25℃	典型值	0.7
	源極-漏極導(dǎo)通電壓（傳感器）： VSD(on)sense（V）	IS＝250A、VGS＝＋20V、 Tch＝25℃	典型值	0.7
	源極-漏極關(guān)斷電壓（傳感器）： VSD(off)sense（V）	IS＝250A、VGS＝－6V、 Tch＝25℃	典型值	1.6
	開通損耗 Eon（mJ）	VDD＝1100V、 ID＝250A、Tch＝150℃	典型值	14
	關(guān)斷損耗 Eoff（mJ）		典型值	11
	寄生電感LsPN（nH）		典型值	12