GeneSiC推出全SiC連接晶體管整流器（4引線微型模塊合裝）
2015-05-18 21:10:36 未知碳化硅（SiC）杜勒斯，VA的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體GeneSiC公司，美國已宣布GA50SICP12-22720MΩ/ 1200V碳化硅結(jié)型晶體管，二極管的可用性在一個孤立的SOT-227 4引線微型模塊封裝，使極低導(dǎo)通，而在高頻電源轉(zhuǎn)換器，提供靈活的，模塊化設(shè)計的能源損失。
采用高頻率，高電壓和低導(dǎo)通電阻能夠碳化硅晶體管和整流器將減少需要更高的功率處理在高工作頻率的電子應(yīng)用的尺寸/重量/體積，說，該公司。的新設(shè)備是針對各種各樣的應(yīng)用，包括感應(yīng)加熱器，等離子發(fā)生器，快速充電器，DC-DC轉(zhuǎn)換器，以及開關(guān)模式電源（SMPS）。
GeneSiC的1200V /20MΩ碳化硅結(jié)型晶體管，整流器共同封裝在一個孤立的SOT-227封裝，提供單獨的門源和吸收能力。
圖片：GeneSiC的1200V /20MΩ碳化硅結(jié)型晶體管，整流器共同封裝在一個孤立的SOT-227封裝，提供單獨的門源和吸收能力。
GeneSiC表示，其共同封裝的SiC結(jié)晶體管（SJT）-SiC整流器是唯一適用于電感式開關(guān)應(yīng)用程序，因為SJTs是唯一的寬禁帶開關(guān)，提供>10μS重復(fù)短路能力強(qiáng)，即使在80％額定電壓（例如，960V的1200V裝置）。除了子10ns的上升/下降時間和一個正方形反向偏置安全操作區(qū)（RBSOA），在新的配置中的柵極返回端顯著提高以減少切換的能量的能力，GeneSiC說。新類的產(chǎn)品提供瞬態(tài)能量損耗和開關(guān)時間是獨立的結(jié)溫。 GeneSiC補(bǔ)充說其SiC連接的晶體管是柵極氧化物自由，常斷，呈現(xiàn)正溫度系數(shù)的導(dǎo)通電阻，并且能夠被驅(qū)動以低的柵極電壓的（不像其它碳化硅開關(guān)）。
在微型模塊中使用的SiC肖特基整流器顯示低通態(tài)壓降，良好的浪涌電流額定值和在高溫下的業(yè)界最低的泄漏電流，聲稱GeneSiC。與溫度無關(guān)，接近零反向恢復(fù)開關(guān)特性，SiC肖特基整流器是合適的人選在高效率的電路中使用，該公司補(bǔ)充道。
“GeneSiC的碳化硅晶體管和整流器產(chǎn)品的設(shè)計和制造，以實現(xiàn)低通態(tài)損耗和開關(guān)損耗，”總統(tǒng)辛格蘭比爾博士說。 “這些技術(shù)創(chuàng)新封裝的組合有望在電源電路典范性能要求苛刻的寬禁帶為基礎(chǔ)的設(shè)備，”他補(bǔ)充道。 “迷你模塊封裝提供的各種像H橋，回掃和多級逆變器的電源電路的大的設(shè)計靈活性以供使用。”
所有設(shè)備都100％測試，以全電壓/電流額定值。該器件可從GeneSiC的授權(quán)經(jīng)銷商。
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