Cree公司的首款900V SiC MOSFET重新定義分立功率MOSFET
2015-05-14 20:26:19 未知科銳公司（Nasdaq：CREE）市場的領(lǐng)導(dǎo)者在碳化硅（SiC）功率的產(chǎn)品，推出了其最新突破SiC功率器件技術(shù)：業(yè)界首款900V MOSFET平臺。優(yōu)化用于高頻功率電子應(yīng)用，包括可再生能源逆變器，電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)，以及三相工業(yè)電源，新900V平臺使得體積更小，效率更高的下一代電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的成本奇偶硅為基礎(chǔ)的解決方案。
“作為一家技術(shù)領(lǐng)先的SiC功率，我們致力于打破性能瓶頸真正重要的電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)界”
“作為一家技術(shù)領(lǐng)先的SiC功率，我們致力于打破性能瓶頸真正重要的電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)界，”說的Cengiz Balkas博士，副總裁兼總經(jīng)理，科銳電源和RF，“相比于相當(dāng)于硅MOSFET，這一突破900V平臺使我們的產(chǎn)品的新市場通過擴(kuò)大我們在終端系統(tǒng)解決功率范圍。下面我們1200V的MOSFET，表現(xiàn)出卓越的性能，以高電壓IGBT的，我們現(xiàn)在能夠在900V至跑贏大市低電壓超接面MOSFET硅技術(shù)。該平臺提供了極大的優(yōu)良特性，從而提供電源設(shè)計(jì)人員提供了潛在的創(chuàng)新更小，更快，更酷，更高效的電源解決方案。毫無疑問，這是超越目前的任何與實(shí)現(xiàn)硅接觸不到的地方。“
基于科銳業(yè)界領(lǐng)先的碳化硅平面技術(shù)，新的900V MOSFET平臺擴(kuò)大了產(chǎn)品組合，以應(yīng)對共同的新的和不斷發(fā)展的應(yīng)用領(lǐng)域中，更高的直流母線電壓是可取的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。主導(dǎo)產(chǎn)品（C3M0065090J）擁有最低的導(dǎo)通電阻額定值的任何900V MOSFET器件（65mΩ），目前市場上可用的。此外，除了在工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)TO247-3和TO220-3包，新的設(shè)備也提供了低阻抗D2PAK-7L表面安裝封裝用Kelvin連接，以幫助減少柵極振鈴。
現(xiàn)有的900V硅MOSFET由于具有極高的開關(guān)損耗和較差的內(nèi)部體二極管嚴(yán)格的限制高頻開關(guān)電路。進(jìn)一步限制使用硅MOSFET的是RDS（ON），增加3倍以上的溫度，這會(huì)導(dǎo)致散熱問題和顯著降額。另外，Cree公司的新的900V MOSFET技術(shù)在較高溫度下提供低RDS（ON），使熱管理系統(tǒng)的顯著尺寸減小。
該C3M0065090J的額定電壓為900V / 32A，用65mΩ的RDS（ON），在25℃。在較高的溫度下操作（TJ = 150℃）時(shí)，RDS（ON）僅有90mΩ。封裝器件將通過DigiKey與Mouser的放養(yǎng)。
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