臺當局開綠燈：臺積電2納米可以在美國生產！
2025-01-14 12:15:11 EETOP中國臺灣經濟部門13日宣布，臺積電（TSMC）在美國投資生產下一代2納米（nm）芯片將不再受到政策限制。然而，臺經濟部門也強調，鑒于這筆投資高達300億美元，作為全球最大的芯片代工制造商，臺積電不會輕率做出決定。
此前，為維護中國臺灣的芯片技術優勢，當地政府曾禁止本地芯片制造商在海外工廠使用更先進的技術生產芯片。據透露，這些制造商之前僅被允許使用相對落后的技術，特別是至少比中國臺灣本地落后兩代的技術來生產芯片。
“那些是老規矩了，現在時代不同了。”經濟部門負責人郭智輝在昨日的新聞發布會上表示。郭智輝指出：“私營企業應根據自身的技術進展來制定商業決策。”他還表示，臺積電將“審慎”評估在美國投資建設2納米晶圓廠的可能性，該項目預計耗資280億至300億美元，并強調臺積電不會屈服于美國新政府的壓力，也不會急于在美國建立如此先進的芯片制造廠。
臺積電方面透露，其位于亞利桑那州的晶圓廠將于今年上半年開始生產4納米技術芯片，并計劃于2028年生產采用2納米和3納米技術的芯片。
據《臺北時報》報道，郭智輝在政府新聞發布會上表示，臺積電現在被允許在其臺灣以外的工廠使用即將推出的2納米級制程技術生產芯片。
此前，為保持所謂的“硅盾”策略，即確保最先進的制程節點在臺灣生產，臺積電被禁止在臺灣以外的工廠使用其最新的制程技術。不過，盡管臺積電現在可以正式將其N2系列制程技術出口到美國，但其目前唯一計劃建設的2納米晶圓廠要到2020年代末才能投產。
郭智輝還提到，過去臺灣當局規定海外芯片生產至少要落后國內兩代技術。但現在，政府已經更新了立場，允許企業根據技術進步和市場機會來做出決策。目前，臺積電在亞利桑那州的Fab 21第一階段工廠正在使用其N4系列（4納米級）技術生產芯片。該公司的下一個模塊——Fab 21第二階段預計將采用3納米級制程技術，并計劃于2028年投產。理論上，臺積電可以在Fab 21第二階段安裝更先進的設備，使其能夠使用N2系列制程節點生產半導體。但根據目前的規劃，臺積電的A16和N2制程技術將在2020年代末用于Fab 21第三階段。臺積電在亞利桑那州的總投資預計將超過65億美元。
