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臺積電線上論壇直擊:美國5納米工廠動工、4納米馬上試產(chǎn)、發(fā)布6納米射頻制程...

2021-06-02 10:25:58 EETOP
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2021年臺積電線上技術(shù)論壇6月1日于北美、6月2日于中國大陸、歐洲、中國臺灣同步登場,由臺積電總裁魏哲家率領(lǐng)高級主管專題演講,釋出產(chǎn)業(yè)動態(tài)與技術(shù)演進。

今年是臺積電連續(xù)第二年采用線上形式舉行技術(shù)論壇,與客戶分享臺積公司最新的技術(shù)發(fā)展,包括支持下一代5G智能手機與WiFi6/6e效能的N6RF制程、支持最先進汽車應用的N5A制程、以及3DFabric系列技術(shù)的強化版。

臺積電在今年的技術(shù)論壇上,秀出代表先進技術(shù)領(lǐng)導地位的N5(5納米)、N4(4納米)、N5A(5納米A)、以及N3(3納米)的世界最先進的制程。 

會議正在進行中,目前已經(jīng)知道的重要內(nèi)容包括:

  1. 4納米今年第三季度試產(chǎn),3納米明年量產(chǎn)

  2. 宣布推出6納米RF(N6RF)制程

  3. 批露3DFabric先進封裝技術(shù)系統(tǒng)整合解決方案

  4. 美國亞利桑那州5納米晶圓廠已經(jīng)開始動工

4納米今年第三季度試產(chǎn),3納米明年量產(chǎn) 

會上,臺積電總裁魏哲家提到,自從在2020年技術(shù)論壇公布之后,臺積電4納米制程技術(shù)的開發(fā)進度相當順利,預計于2021年第3季開始試產(chǎn),較原先規(guī)劃于2021年第4季試產(chǎn)提早了一季時間。3納米制程則將依計劃于2022年下半年量產(chǎn)。

臺積電的N3技術(shù)預定于2022年下半年開始量產(chǎn)時將成為全球最先進的邏輯技術(shù)。N3憑借著可靠的FinFET晶體管架構(gòu),支持最佳的性能、功耗效率、以及成本效益,相較于N5技術(shù),其速度增快15%,功耗降低達30%,邏輯密度增加達70% 。

臺積電表示,N5A將現(xiàn)今超級電腦使用的相同技術(shù)帶入車輛之中,搭載N5的運算效能、功耗效率、以及邏輯密度,同時符合AEC-Q100 Grade 2嚴格的品質(zhì)與可靠性要求,以及其他汽車安全與品質(zhì)的標準,臺積公司生氣蓬勃的汽車設計實現(xiàn)平臺也提供支持。 

宣布推出6納米RF(N6RF)制程 

今天,臺積電首次發(fā)表6納米RF(N6RF)制程,將先進的6納米邏輯制程所具備的功耗、效能、面積優(yōu)勢帶入到5G射頻RF)與WiFi6/6e解決方案。相較于前一世代的16納米射頻技術(shù),N6RF晶體管的效能提升超過16%。

N6RF可說是支持5G時代的先進射頻技術(shù)。臺積電指出,相較于4G、5G智能手機需要更多的硅片面積與功耗來支持更高速的無線數(shù)據(jù)傳輸,5G芯片整合更多的功能與元件,隨著芯片尺寸日益增大,它們在智能手機內(nèi)部正與電池競相爭取有限的空間。

臺積電表示,N6RF制程針對6GHz以下及毫米波頻段的5G射頻收發(fā)器提供大幅降低的功耗與面積,同時兼顧消費者所需的效能、功能與電池壽命,亦將強化支持WiFi 6/6e的效能與功耗效率。

批露3DFabric先進封裝技術(shù)系統(tǒng)整合解決方案

此外,臺積電今年也對外揭露3DFabric系統(tǒng)整合解決方案,持續(xù)擴展由三維硅堆疊及先進封裝技術(shù)組成的完備3DFabric系統(tǒng)整合解決方案。

臺積電指出,針對高效能運算應用,將于2021年提供更大的光罩尺寸來支持整合型扇出暨封裝基板(InFO_oS)及CoWoSR封裝解決方案,運用范圍更大的布局規(guī)劃來整合小芯片及高帶寬存儲器。

此外,系統(tǒng)整合芯片之中芯片堆疊于晶圓之上(CoW)的版本預計今年完成7納米對7納米的驗證,并于2022年在嶄新的全自動化晶圓廠開始生產(chǎn)。

針對行動應用,臺積電則推出InFO_B解決方案,將強大的行動處理器整合于輕薄精巧的封裝之中,提供強化的效能與功耗效率,并且支持移動設備制造廠商封裝時所需的動態(tài)隨機存取存儲器堆疊。

美國5納米工廠開始動工

在6月1日的北美會場,魏哲家指出,在美國亞利桑那州投資120 億美元所興建的5納米制程晶圓廠將按照時間,在2024 年進行大規(guī)模的量產(chǎn)。

根據(jù)臺積電總裁魏哲家的說法,目前美國亞利桑那州5納米制程晶圓廠已經(jīng)開始動工興建。

先前相關(guān)報道曾經(jīng)指出,為了讓美國重振半導體制造市場,也進一步滿足當前市場缺少芯片的情況,美國政府已經(jīng)宣布提出540 億美元的資金準備補助相關(guān)業(yè)者的投資。而包括臺積電英特爾、三星等具備先進半導體制造技術(shù)的企業(yè)都相繼宣布將在美國投資設立晶圓廠,也都將積極爭取美國政府的相關(guān)資金補助。

魏哲家在該場次的技術(shù)論壇上表示,臺積電已經(jīng)開發(fā)出一種5納米芯片的生產(chǎn)制造技術(shù),它已經(jīng)獲得許可而用在汽車上,支持類似AI 等相關(guān)應用的執(zhí)行。只是,市場一般認為,這種技術(shù)所生產(chǎn)的產(chǎn)品不太可能緩解目前汽車芯片短缺問題,原因在于現(xiàn)在缺少的芯片普遍是技術(shù)較成熟的芯片。另外,魏哲家還指出,下一代3納米制程技術(shù)正在按計劃進行中,目標是在2022 年下半年在南科的Fab 18 晶圓開始量產(chǎn)。而為了支持先進制程的發(fā)展與量產(chǎn),2021 年臺積電的資本支出將會達到300 億美元,而且在未來3 年內(nèi)還將總計投資達到1,000 億美元的資金。

關(guān)鍵詞: 臺積電 半導體 芯片 WiFi6 臺積電美國工廠

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