俄羅斯放話：擊敗ASML ! 俄制高性能光刻機路線圖曝光!
2024-12-16 08:55:52 EETOP創新理念
俄羅斯的這一創新性概念預計將減少設備體積和制造復雜性，同時降低生產與運營成本。例如，波長從13.5納米縮短到11.2納米后，設備的分辨能力將提升20%。此外，俄方計劃用氙代替錫作為激光等離子光源，這將顯著減少光學元件的污染，并延長昂貴零部件如反射鏡和保護膜的使用壽命。
這種改進還可能帶來材料上的創新，例如采用含硅光刻膠以提升11.2納米波長下的加工效率。盡管如此，新設備的生產能力與ASML的旗艦機型相比仍略顯不足，但在小規模芯片生產中依然具有實用性。
俄羅斯光刻機與現有ASML光刻機的特性對比
如表所示，在激光平均功率為3.6千瓦的情況下，預期在11.2納米波長下的生產率將比ASML光刻機低約2.7倍。
“對于產品市場規模小于前五大公司的工廠而言，這個數值完全足夠。
研發計劃分三階段推進
1. 第一階段：技術突破
- 進行科學研究與工程設計，解決關鍵技術難題。
- 制定合作框架和設備清單，為后續階段奠定基礎。
2. 第二階段：實驗驗證
- 制造用于測試的實驗性光刻設備。
- 集成高效多鏡頭投影系統和多千瓦激光器，用于200/300毫米晶圓的工藝測試。
3.第三階段：產業化
- 開發適合工業應用的高性能光刻設備，計劃量產直徑300毫米晶圓的設備，生產能力超每小時60片。
研發背景與經濟意義
由于西方制裁，俄羅斯難以獲得國外先進光刻設備，這加劇了國內自主研發的重要性。計劃中的光刻設備將使俄羅斯實現技術主權，并為中小型芯片制造商提供更具成本效益的選擇。
盡管挑戰重重，包括資金不足和人才匱乏，俄羅斯決心通過創新路線圖來突破目前的困局，并希望在2028年前完成研發工作。未來，這些設備或許還能出口至其他非頂級芯片制造商，為全球芯片生產提供新選擇。
