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三星晶圓代工在美國晶圓代工論壇（SFF）上公布了其芯片制造工藝技術(shù)的最新路線圖。在論壇期間，它概述了2納米級節(jié)點、1.4納米級節(jié)點以及將在未來三年內(nèi)向客戶提供的具有背面供電的生產(chǎn)技術(shù)的計劃。

2025 年，三星將推出 SF2 節(jié)點（以前稱為 SF3P），該節(jié)點展示了功率、性能和面積（PPA），公司將其歸功于 2 納米級工藝技術(shù)。這種制造工藝主要針對高性能計算和智能手機應(yīng)用而設(shè)計，因此三星對其寄予厚望。此外，在 2025 年擁有 2nm 級節(jié)點也使三星正式領(lǐng)先于臺積電，后者將在 2025 年底才開始采用 N2 工藝制造芯片。然而，這次重新命名再次凸顯了“納米”在今天已不再重要。

2026 年，三星計劃推出 SF2P，這是 SF2 的性能增強版本（可以稱之為 SF3P+？該節(jié)點將進一步完善SF2，其特點是速度更快但密度更低的晶體管，表明正在向提高速度轉(zhuǎn)變，同時稍微降低密度，這是業(yè)界的正常權(quán)衡。

2027 年，三星將發(fā)布 SF2Z，該產(chǎn)品將采用背面供電技術(shù)，從而提高性能并增加晶體管密度。此外，這一改進還旨在提高電源質(zhì)量和管理壓降（IR drop），以應(yīng)對先進芯片生產(chǎn)過程中的關(guān)鍵挑戰(zhàn)。

三星晶圓代工的 SF1.4 節(jié)點也計劃于 2027 年推出，標志著該公司進入了 1.4 納米級別。與 SF2Z 不同的是，SF1.4 將不包括背面電源傳輸，這使三星有別于英特爾和臺積電，后者將在其 2nm 級（20A）和 1.6nm 級（A16）節(jié)點上引入背面電源傳輸。目前還不清楚三星為何決定在其 SF1.4 中舍去背面供電技術(shù)，可能是想讓這一生產(chǎn)節(jié)點更具成本效益。

目前，三星的路線圖與有關(guān) "納米"分類的行業(yè)標準基本一致。不過，該公司尚未透露具體的性能優(yōu)勢以及與以前節(jié)點或英特爾代工廠和臺積電等競爭對手的比較。

除了推出高端節(jié)點外，三星還發(fā)布了 SF4U，這是 4 納米級節(jié)點的高性價比變體，通過光學(xué)收縮提高了功率、性能和面積（PPA）。SF4U 將于 2025 年量產(chǎn)。

總體而言，三星的公告凸顯了該公司每年都在不斷努力完善和改進半導(dǎo)體工藝技術(shù)。引入背面供電和各種性能增強等功能有望使三星代工在未來幾年與競爭對手競爭。然而，公告中缺乏細節(jié)引發(fā)的問題多于答案。