中國閃存突破！“廉價”QLC性能追平TLC
2024-03-29 11:42:06 IT之家、DIGITIMES注：不同于質保壽命，消費級原廠 TLC 固態硬盤在測試中普遍至少擁有 3000 次 P / E 級別的擦寫壽命。
▲ 圖源中國閃存市場峰會 CFMS 官方，下同
長江存儲 CTO 霍宗亮表示，目前 NAND 閃存行業已度過了最艱難的 2023 年，今年將進入上升期，預計 2023~2027 年的閃存需求總量復合增長率可達 21%，單臺設備平均容量的復合增長率為 20%。
在這個上升周期中，存儲市場面臨的三大新挑戰是每 Gb 成本快速降低、讀寫性能加速提升和滿足多樣化需求，客戶期待的是以同樣的價格獲得更高密度的存儲。
而在密度提升方面，3D NAND 的堆疊層數提升成為業界新問題，因此有必要推動 QLC NAND 的應用。根據市場預測，到 2027 年 QLC 占比有望超過 40%，大幅高于去年的 13%。
長江存儲表示，其采用第三代 Xtacking 技術的 X3-6070 QLC 閃存相較上代產品 IO 速度提升 50%、存儲密度提高 70%、擦寫壽命達 4000 次 P / E。
這意味著長江存儲的 QLC 技術已開發成熟，可向企業級存儲、移動端等領域擴展。憶恒創源就在此次峰會上展示了基于長存 QLC 閃存的 PBlaze7 7340 系列數據中心級固態硬盤。
在技術細節方面，Xtacking 結構將 CMOS 電路同閃存陣列分離的設計對操作算法帶來了更大靈活性，從而提升了 QLC 的可靠性。此外第三代 Xtacking 技術可實現更靈活的電壓調制，讀取窗口裕度得到了提升。
此外，長江存儲還在現場展示了 PC41Q 消費級 QLC 固態硬盤。PC41Q 順序讀寫帶寬達 5500MB/s，長江存儲宣稱該款固態硬盤的數據保持能力和可靠性媲美 TLC 固態硬盤，實現了 30℃ 下 1 年的數據保持和 200 萬小時的 MTBF 時間。
科普：QLC和TLC Nand 閃存
QLC和TLC是兩種不同的閃存存儲技術。雖然它們都是基于NAND閃存的，但它們在存儲密度、壽命、價格等方面有所不同。
QLC是四位存儲單元技術，也就是說每個存儲單元可以存儲4個比特，而TLC是三位存儲單元技術，每個存儲單元可以存儲3個比特。由于QLC可以存儲更多的比特，所以它的存儲密度更高，價格也更低。但是，QLC的壽命比TLC更短，因為它的寫入次數更少。
