先進封裝大戰(zhàn)開打！三星2024 年推3D AI 晶片封裝「SAINT」
2023-11-15 08:29:33 techne隨著半導體元件微縮制程逼近物理極限，允許將多個元件合并封裝成為單一電子元件，進而提升半導體效能的先進封裝技術(shù)便成為全新兵家必爭之地。對此，臺積電（TSMC）、三星（Samsung）和英特爾（Intel）等制造大廠展開了激烈的競爭。率先推出3Dfabric 先進封裝平臺的臺積電取得絕對領(lǐng)先的地位。為了迎頭趕上，三星計劃明年推出「SAINT」先進3D 晶片封裝技術(shù)。
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ChatGPT 等生成式AI 應(yīng)用帶動，市場殷切需要能快速處理大量資料的半導體，先進封裝技術(shù)因此迅速發(fā)展。調(diào)研機構(gòu)Yole Intelligence 資料顯示，全球先進晶片封裝市場從2022 年443 億美元成長到2027 年660 億美元。660 億美元，3D 封裝預(yù)計將占約25%（亦即150 億美元市場規(guī)模），如此驚人數(shù)字，自然帶動立體封裝發(fā)展盛況。
三星2021 年推出2.5D 封裝技術(shù)「H-Cube」后，便一直加速晶片封裝技術(shù)的開發(fā)，4 月表示提供封裝統(tǒng)包服務(wù)（package turnkey service），處理從晶片生產(chǎn)到封測整個過程。
業(yè)界先進封裝主流是2.5D 封裝，全球第一代晶圓代工廠臺積電憑有十年歷史的2.5D 封裝，持續(xù)在全球2.5D 到3D 先進封裝市場占據(jù)領(lǐng)先地位。身為全球第二大晶圓代工廠的三星無法坐視長期落后局面，計劃推出3D 封裝技術(shù)SAINT（Samsung Advanced Interconnection Technology，三星先進互連技術(shù)），能以更小尺寸的封裝，將AI 晶片等高性能晶片記憶體和處理器整合。
知情人士12 日表示，三星計劃「SANIT」品牌推出三種技術(shù)：垂直堆疊SRAM 和CPU 的「SAINT S」、CPU、GPU 等處理器和DRAM 記憶體垂直封裝的「SAINT D」、應(yīng)用處理器（AP ）堆疊的「SAINT L」。
「SAINT S」等新技術(shù)已通過驗證測試，但消息人士指出，三星與客戶完成進一步測試后明年推出商用服務(wù)，目標是透過SAINT 新技術(shù)，提高資料中心AI 晶片及內(nèi)建AI 功能手機應(yīng)用處理器的效能。
反觀業(yè)界其他領(lǐng)導制造業(yè)者的3D 封裝發(fā)展狀況，臺積電正大手筆斥資測試和升級自家3D 晶片間堆疊技術(shù)「SoIC」，以滿足蘋果和Nvidia 等客戶需求。臺積電7 月表示，投資新臺幣900 億元（約29 億美元）國內(nèi)新建先進封裝廠。至于英特爾，開始使用自家新一代3D 晶片封裝技術(shù)「Fooveros」制造先進晶片。
本月稍早，世界第三大晶圓代工廠聯(lián)華電子（UMC）推出晶圓對晶圓（Wafer-to-Wafer，W2W）3D IC 專案，利用矽堆疊技術(shù)提供高效整合記憶體和處理器的尖端解決方案。
聯(lián)華電子表示，W2W 3D IC 專案雄心勃勃與日月光、華邦、智原科技（Faraday）和益華電腦（Cadence Design Systems）等先進封裝廠及服務(wù)公司合作，以便充分利用3D 晶片整合技術(shù)滿足邊緣AI 應(yīng)用的特定需求。
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