取得美國無限期豁免，三星開始提升西安工廠制程技術
2023-10-23 12:03:46 EETOP韓國存儲器大廠三星獲美國政府無限期豁免后，三星中國廠無需另外申請許可，就能進口美國芯片設備升級或擴產。
美國政府給三星的無限期豁免，對三星來說無疑是個好消息，且三星取得豁免后開始采取措施。 三星高層決定為中國西安NAND Flash廠升級到236層堆疊技術，并開始大規模擴產。
報道引用消息人士說法，三星開始預購最新半導體設備以轉換制程。 新設備年底交貨，2024年西安廠陸續引進生產第八代NAND Flash技術，業界視為全球NAND Flash閃存需求疲軟、產能下降的因應計劃。
三星中國半導體有限公司2012年落腳中國西安高新區，是唯一海外存儲器半導體生產基地，2014年開始營運，2020年增建第二座工廠，生產128層堆疊NAND Flash存儲器為主，月產能達20萬片12吋晶圓，占三星NAND Flash產總量40%以上。 三星計劃2024年西安工廠安裝逐步轉換設備，以生產236層堆疊NAND Flash閃存。
三星中國西安廠第一期工程投資108.7億美元，2017年開始三星展開第二期工程，兩期工程先后投資150億美元。
