英特爾公布 Intel 18A 制程節(jié)點(diǎn)最新進(jìn)展:預(yù)計(jì) 2025 年上市
2023-08-31 08:40:33 IT之家8 月 30 日消息,英特爾今日發(fā)文介紹了最新的 Intel 18A 工藝的進(jìn)展。官方表示,Intel 18A 是英特爾“四年五個(gè)制程節(jié)點(diǎn)”計(jì)劃的最后一個(gè)節(jié)點(diǎn),目前正在穩(wěn)步按計(jì)劃推進(jìn)內(nèi)部和外部測試芯片中,預(yù)計(jì)將于 2024 年下半年實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)準(zhǔn)備就緒,2025 年上市。
英特爾表示,目前有五個(gè)以上的內(nèi)部產(chǎn)品正基于最新的 Intel 18A 制程節(jié)點(diǎn)研發(fā),Intel 18A 預(yù)計(jì)將于 2025 年上市。代號為 Clearwater Forest 的下一代能效核英特爾至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器計(jì)劃將于 2025 年交付,采用 Intel 18A 制程。
代工方面,Intel 18A 制程節(jié)點(diǎn)最初將通過英特爾內(nèi)部產(chǎn)品提升產(chǎn)量,從而讓該制程的各種問題都能得到妥善解決,因此將在很大程度上為英特爾代工服務(wù)的外部客戶降低新制程的風(fēng)險(xiǎn)。日前,英特爾宣布已和新思科技簽署多代合作協(xié)議,深化在半導(dǎo)體 IP 和 EDA(電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化)領(lǐng)域的長期戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,共同為英特爾代工服務(wù)的客戶開發(fā)基于 Intel 3 和 Intel 18A 制程節(jié)點(diǎn)的 IP 產(chǎn)品組合。此前,Arm 已經(jīng)和英特爾代工服務(wù)簽署了涉及多代前沿系統(tǒng)芯片設(shè)計(jì)的協(xié)議,使芯片設(shè)計(jì)公司能夠利用 Intel 18A 開發(fā)低功耗計(jì)算系統(tǒng)級芯片(SoC);英特爾也將采用 Intel 18A 為瑞典電信設(shè)備商愛立信打造定制化 5G 系統(tǒng)級芯片。
同時(shí),英特爾介紹了最新的 RibbonFET 晶體管,它將在 Intel 20A 制程節(jié)點(diǎn)推出。
IT 之家附 RibbonFET 晶體管簡介:
通過 RibbonFET 晶體管,英特爾實(shí)現(xiàn)了全環(huán)繞柵極(GAA, gate-all-around)架構(gòu)。它將和 PowerVia 背面供電技術(shù)一起于 Intel 20A 制程節(jié)點(diǎn)推出,并在 Intel 18A 制程節(jié)點(diǎn)繼續(xù)被采用,助力英特爾重獲制程領(lǐng)先性,提高產(chǎn)品性能,并為英特爾代工服務(wù)的客戶提供更高質(zhì)量的服務(wù)。
在晶體管中,柵極(gate)作用類似于開關(guān),可控制電流的流通。2012 年,英特爾在業(yè)界率先引入了 FinFET(鰭式場效應(yīng)晶體管)技術(shù),讓柵極環(huán)繞晶體管溝道的上、左、右三側(cè),其垂直架構(gòu)讓行業(yè)能夠在芯片中集成更多晶體管,從而有力地推動(dòng)了摩爾定律在過去十年的延續(xù)。
隨著晶體管尺寸越來越小,短溝道效應(yīng)越來越明顯,電流控制越來越難,F(xiàn)inFET 已經(jīng)達(dá)到了物理極限。作為英特爾自 FinFET 之后的首個(gè)全新晶體管架構(gòu),RibbonFET 全環(huán)繞柵極晶體管讓帶狀的晶體管溝道整個(gè)被柵極環(huán)繞,其好處主要包括以下三個(gè)方面:
第一,在 RibbonFET 晶體管中,柵極能夠更好地控制電流的流通,同時(shí)在任意電壓下提供更強(qiáng)的驅(qū)動(dòng)電流,讓晶體管開關(guān)的速度更快,從而提升晶體管的性能;
第二,RibbonFET 晶體管架構(gòu)的水平溝道可以垂直堆疊,而不是像 FinFET 一樣只能將鰭片并排放置,因此能夠以更小的空間實(shí)現(xiàn)相同的性能,從而推動(dòng)晶體管尺寸的進(jìn)一步微縮;
第三,RibbonFET 還將進(jìn)一步提升芯片設(shè)計(jì)的靈活性,其溝道可以根據(jù)需求加寬或縮窄,從而更適配不同的應(yīng)用場景,不管是手機(jī)還是電腦,游戲還是醫(yī)療,汽車還是人工智能,可輕松勝任按需配置。
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