英特爾公布 Intel 18A 制程節點最新進展：預計 2025 年上市
2023-08-31 08:40:33 IT之家8 月 30 日消息，英特爾今日發文介紹了最新的 Intel 18A 工藝的進展。官方表示，Intel 18A 是英特爾“四年五個制程節點”計劃的最后一個節點，目前正在穩步按計劃推進內部和外部測試芯片中，預計將于 2024 年下半年實現生產準備就緒，2025 年上市。
英特爾表示，目前有五個以上的內部產品正基于最新的 Intel 18A 制程節點研發，Intel 18A 預計將于 2025 年上市。代號為 Clearwater Forest 的下一代能效核英特爾至強可擴展處理器計劃將于 2025 年交付，采用 Intel 18A 制程。
代工方面，Intel 18A 制程節點最初將通過英特爾內部產品提升產量，從而讓該制程的各種問題都能得到妥善解決，因此將在很大程度上為英特爾代工服務的外部客戶降低新制程的風險。日前，英特爾宣布已和新思科技簽署多代合作協議，深化在半導體 IP 和 EDA（電子設計自動化）領域的長期戰略合作伙伴關系，共同為英特爾代工服務的客戶開發基于 Intel 3 和 Intel 18A 制程節點的 IP 產品組合。此前，Arm 已經和英特爾代工服務簽署了涉及多代前沿系統芯片設計的協議，使芯片設計公司能夠利用 Intel 18A 開發低功耗計算系統級芯片（SoC）；英特爾也將采用 Intel 18A 為瑞典電信設備商愛立信打造定制化 5G 系統級芯片。
同時，英特爾介紹了最新的 RibbonFET 晶體管，它將在 Intel 20A 制程節點推出。
IT 之家附 RibbonFET 晶體管簡介：
通過 RibbonFET 晶體管，英特爾實現了全環繞柵極（GAA, gate-all-around）架構。它將和 PowerVia 背面供電技術一起于 Intel 20A 制程節點推出，并在 Intel 18A 制程節點繼續被采用，助力英特爾重獲制程領先性，提高產品性能，并為英特爾代工服務的客戶提供更高質量的服務。
在晶體管中，柵極（gate）作用類似于開關，可控制電流的流通。2012 年，英特爾在業界率先引入了 FinFET（鰭式場效應晶體管）技術，讓柵極環繞晶體管溝道的上、左、右三側，其垂直架構讓行業能夠在芯片中集成更多晶體管，從而有力地推動了摩爾定律在過去十年的延續。
隨著晶體管尺寸越來越小，短溝道效應越來越明顯，電流控制越來越難，FinFET 已經達到了物理極限。作為英特爾自 FinFET 之后的首個全新晶體管架構，RibbonFET 全環繞柵極晶體管讓帶狀的晶體管溝道整個被柵極環繞，其好處主要包括以下三個方面：
第一，在 RibbonFET 晶體管中，柵極能夠更好地控制電流的流通，同時在任意電壓下提供更強的驅動電流，讓晶體管開關的速度更快，從而提升晶體管的性能；
第二，RibbonFET 晶體管架構的水平溝道可以垂直堆疊，而不是像 FinFET 一樣只能將鰭片并排放置，因此能夠以更小的空間實現相同的性能，從而推動晶體管尺寸的進一步微縮；
第三，RibbonFET 還將進一步提升芯片設計的靈活性，其溝道可以根據需求加寬或縮窄，從而更適配不同的應用場景，不管是手機還是電腦，游戲還是醫療，汽車還是人工智能，可輕松勝任按需配置。
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