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半導(dǎo)體三雄搶攻下一代技術(shù)!三星率先公布將BSPDN(背面供電網(wǎng)絡(luò))技術(shù)用于2納米芯片

2023-08-13 10:00:56 technew(臺(tái))
點(diǎn)擊關(guān)注->創(chuàng)芯網(wǎng)公眾號(hào),后臺(tái)告知EETOP論壇用戶名,獎(jiǎng)勵(lì)200信元

臺(tái)積電、三星、英特爾芯片大廠近期積極布局背面供電網(wǎng)絡(luò)(BSPDN)技術(shù),并宣布將導(dǎo)入邏輯芯片的開發(fā)藍(lán)圖,比如三星計(jì)劃將BSPDN技術(shù)用于2 納米芯片,該公司近日也于日本VLSI 研討會(huì)上公布BSPDN 研究結(jié)果。

根據(jù)比利時(shí)微電子研究中心(imec)的說(shuō)法,BSPDN 目標(biāo)是減緩邏輯芯片正面在后段制程面臨的壅塞問題,通過(guò)設(shè)計(jì)技術(shù)協(xié)同優(yōu)化(DTCO),在標(biāo)準(zhǔn)單元實(shí)現(xiàn)更有效率的導(dǎo)線設(shè)計(jì),協(xié)助縮小邏輯標(biāo)準(zhǔn)單元的尺寸。

換言之,BSPDN可解釋成小芯片設(shè)計(jì)演變,原本將邏輯電路和存儲(chǔ)器模組整合的現(xiàn)有方案,改成正面具備邏輯運(yùn)算功能,背面供電或信號(hào)傳遞。

一般而言,透過(guò)晶圓正面供電的方法雖能完成任務(wù),卻會(huì)使功率密度下降、性能受損,不過(guò)新的BSPDN 方法還沒被代工廠采用。

三星稱跟傳統(tǒng)方法相比,BSPDN 可將面積減少14.8%,芯片能擁有更多空間,公司可增加更多晶體管,提高整體性能;線長(zhǎng)也減少9.2%,有助降低電阻、使更多電流通過(guò),從而降低功耗,改善功率傳輸狀況。

▲ 三星分享BSPDN研究成果。(Source:三星)

今年6 月,英特爾也舉辦BSPDN 相關(guān)的發(fā)布會(huì),并將其命名為「PowerVia」。Team Blue 計(jì)劃在英特爾20A 制程中采用這方法,使得芯片利用率有望達(dá)到90%。

英特爾認(rèn)為,PowerVia將解決硅架構(gòu)中的互連瓶頸,通過(guò)晶圓背面提電來(lái)實(shí)現(xiàn)連續(xù)傳輸;該公司預(yù)計(jì)在2024 年推出的Arrow Lake CPU 中采用這種新方法。

另有市場(chǎng)消息稱,臺(tái)積電如期2025 年上線2 納米制程,2025 年下半年在新竹市寶山鄕量產(chǎn),計(jì)劃2026 年推出N2P 制程,這個(gè)制程將采用BSPDN 技術(shù)。


關(guān)鍵詞: BSPDN 背面供電網(wǎng)絡(luò)

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