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三星將發(fā)布第二代3nm工藝

2023-05-10 12:32:46 EETOP

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三星在2022年6月底正式宣布量產(chǎn)了第一代3nm GAA（SF3E）制程技術(shù)，這也是三星首次采用全新的GAA（Gate-All-Around）架構(gòu)晶體管技術(shù)，打破了FinFET原有的性能限制，藉由降低工作電壓水平來提高能耗比，同時還透過增加驅(qū)動電流來提升芯片性能。如今，根據(jù)外媒報道，三星將進一步介紹第二代3nm制程技術(shù)，其效能將較第一代3nm制程技術(shù)有所優(yōu)化。由于，5月11日臺積電將舉行本年度技術(shù)論壇的臺北場活動，三星的動作大有較勁的味道。

報道指出，2023年VLSI技術(shù)和電路研討會將于2023年6月11至16日在日本京都舉行。而根據(jù)官方預告，三星將介紹名為SF3（3GAP）的第二代3nm制程技術(shù)，該制程技術(shù)預計將使用第二代 MBCFET架構(gòu)，在第一代3nm GAA（SF3E）基礎(chǔ)上做進一步的優(yōu)化。

根據(jù)三星表示，與4nm低功耗制程技術(shù)（SF4）相較，第二代3nm制程技術(shù)在相同功率和晶體管數(shù)量下，運算性能提高了22%，在相同頻率和復雜性下的功耗降低了34%，面積縮小了21%。不過，三星并沒有將其 SF3 與 SF3E 進行比較，也沒有關(guān)于 SRAM 和模擬電路縮放方面的數(shù)據(jù)。

事實上，與傳統(tǒng)FinFET 技術(shù)相比，GAA 技術(shù)的主要優(yōu)點之一是泄漏電流減少。另外，通道厚度可以調(diào)整，以提高性能或降低功耗。三星表示，第二代3nm制程技術(shù)提供了更大的設(shè)計靈活性，使用不同寬度的MCFET。而第二代3nm制程技術(shù)，三星方面表示，將有機會在2024年與臺積電的先進制程技術(shù)上展開競爭。

前幾天，三星集團旗下設(shè)備解決方案部門總裁慶桂顯（Kye hyun Kyung）在媒體訪問時坦承，其半導體制程上落后于臺積電。不過，他認為三星更早地采用GAA晶體管技術(shù)是一項優(yōu)勢，臺積電的目標。" linktype="text" imgurl="" imgdata="null" data-itemshowtype="0" tab="innerlink" data-linktype="2" hasload="1" style=";padding: 0px;outline: 0px;-webkit-tap-highlight-color: rgba(0, 0, 0, 0);cursor: pointer;max-width: 100%;box-sizing: border-box !important;overflow-wrap: break-word !important">預計5年內(nèi)可以達成超越臺積電的目標。

報道進一步指出，三星目前也還在改進其4nm制程技術(shù)，目標是透過SF4P（4LPP+）縮小與競爭對手之間的差距，預計會在2023年下半年量產(chǎn)。此外，三星還計劃推出用于高性能CPU和GPU的SF4X（4HPC）。不過，在幾乎同一時間，臺積電也會帶來名為N3P的增強型3nm制程技術(shù)。因此，屆時的競爭究竟誰能勝出，目前還猶未可知。

關(guān)鍵詞： 3nm MBCFET GAA