臺積電：3nm EUV工藝進展順利 已開始接觸早期客戶
2019-07-24 14:01:12 EETOP
他表示：“我司在 N3 節點的技術開發上進展很順利，并且已經與早期客戶就技術定義進行了接觸。我們希望 3nm 制程可進一步加大臺積電在未來的行業領導地位”。
因 N3 技術仍處于早期開發階段，臺積電目前尚未談及具體的特征、及其相較于 N5 的優勢。該公司稱已評估所有可能的晶體管結構選項，并未客戶提供了非常好的解決方案。
N3 規范正在開發之中，臺積電相信它將滿足其業內領先的合作客戶的要求。事實上，臺積電已確認 N3 將是全新的工藝，而不是 N5 的簡單改進或迭代。
作為該公司主要競爭對手之一的三星，則計劃采用 3nm（3GAAE）技術。同時可以肯定的是，臺積電 3nm 節點將同時使用深紫外（DUV）和極紫外（EUV）光刻設備。
由于臺積電的 N5 工藝使用了 14 層 EUV，因此 N3 使用的層數可能會更高。作為全球最大的半導體合約制造商，其似乎對 EUV 的進展感到非常滿意，并認為該技術對其未來的發展至關重要。(來源：cnbeta、anandtech)
