Vishay推出的新款對稱雙通道MOSFET可大幅節省系統面積并簡化設計
2023-01-31 07:55:53 EETOP2023年1月30日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出兩款新型30 V對稱雙通道n溝道功率MOSFET---SiZF5300DT和SiZF5302DT，將高邊和低邊TrenchFET? Gen V MOSFET組合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR? 3x3FS單體封裝中。Vishay Siliconix SiZF5300DT和SiZF5302DT適用于計算和通信應用功率轉換，在提高能效的同時，減少元器件數量并簡化設計。
日前發布的雙通道MOSFET可用來取代兩個PowerPAK 1212封裝分立器件，節省50%基板空間，同時占位面積比PowerPAIR 6x5F封裝雙片MOSFET減小63%。MOSFET為USB-C電源筆記本電腦、服務器、直流冷卻風扇和通信設備同步降壓轉換器、負載點（POL）轉換電路和DC/DC模塊設計人員提供節省空間解決方案。這些應用中，SiZF5302DT高低邊MOSFET提供了50%占空比和出色能效的優質效果，特別是在1 A到4 A電流條件下。而SiZF5300DT則是12 A到15 A重載的理想解決方案。
SiZF5300DT和SiZF5302DT利用Vishay的30 V Gen V技術實現優異導通電阻和柵極電荷。SiZF5300DT 10 V和4.5 V下典型導通電阻分別為2.02 mW和2.93 mW，SiZF5302DT相同條件下導通電阻分別為2.7 mW和4.4 mW。兩款MOSFET 4.5 V條件下典型柵極電荷分別為9.5 nC和 6.7 nC。超低導通電阻與柵極電荷乘積，即MOSFET功率轉換應用重要優值系數（FOM），比相似導通電阻的前代解決方案低35 %。高頻開關應用效率提高2%，100 W能效達到98%。
與前代解決方案對比
技術規格 / 器件編號 | SiZF5302DT (Gen V) | 前代解決方案 (Gen IV) | SiZF5302DT對比前代解決方案 |
封裝 | PowerPAIR 3x3FS | PowerPAIR 6x5F | 63 %↓ |
VDS (V) | 30 | 30 | - |
RDS(ON) 典型值 @ 4.5 V (mW) | 4.4 (通道1) 4.4 (通道2) | 4.0 (通道1) 1.2 (通道2) | - |
Qg @ 4.5 V (nC) | 6.7 (通道1) 6.7 (通道2) | 11 (通道1) 46 (通道2) | - |
FOM (m?*nC) | 29 (通道1) 29 (通道2) | 44 (通道1) 54 (通道2) | 35 % ↓ 46 % ↓ |
能效 @ 20 VIN / 12.5 VOUT / 800 kHZ / 100 W | 98 % | 96 % | 2 %↑ |
器件采用倒裝芯片技術增強散熱能力，獨特的引腳配置有助于簡化PCB布局，支持縮短開關回路，從而減小寄生電感。SiZF5300DT和SiZF5302DT經過100% Rg和UIS測試，符合RoHS標準，無鹵素。
器件規格表：
產品編號 | SiZF5300DT | SiZF5302DT | |
VDS (V) | 30 | 30 | |
VGS (V) | + 16 / -12 | + 16 / -12 | |
RDS(on) 典型值 (m?) @ | 10 V | 2.02 | 2.7 |
4.5 V | 2.93 | 4.4 | |
Qg (典型值) @ 4.5 V (nC) | 9.5 | 6.7 | |
ID (A) @ | TA = 25 °C | 125 | 100 |
TA = 70 °C | 100 | 80 | |
