密度暴增35％！繞過EUV，精確到埃米級控制！美光推出世界最先進的1β DRAM
2022-11-03 12:03:16 EETOP美光科技發布了自稱是業界最先進的 DRAM 技術， 1-beta DRAM 節點。
在過去十年中，半導體擴展的速度明顯放緩，但似乎沒有任何技術的擴展速度比DRAM還要慢。由于技術的物理限制，DRAM 與 VLSI 相比明顯落后。
盡管如此，業界仍在努力改變這種說法，并在架構和制造方面提出創新的解決方案，以減少 DRAM 節點尺寸。美光科技被廣泛認為是 DRAM 領域的領導者，因此，他們一直處于這一努力的最前沿。昨天，美光宣布發布其先進的 1-beta DRAM 節點。
16 GB LPDDR5X 芯片，帶 1-beta
在本文中，我們將討論新節點、它帶來的好處以及美光實現這一壯舉的出人意料的方式。還會分享美光 DRAM 工藝集成副總裁 Thy Tran 的一些見解，他在昨天的美光新聞發布會上發表了聲明。
美光的 1-Beta 節點
美光宣布已開始運送其下一代 1-beta DRAM 節點的合格樣品。繼美光的1-alpha 節點之后，1-beta 是一項技術改進，可實現更高性能的 DRAM。
根據美光的說法，與前幾代產品相比，新節點的功率效率提高了 15%，位密度提高了 35% 以上，每個芯片的容量為 16 Gb。
美光新的 1-beta 節點提高了每個裸片的容量，同時降低了功耗。
1-beta 節點的第一個應用是美光的下一代低功耗雙倍數據速率 5X (LPDDR5X) 移動內存。該技術目前正在向移動設計人員提供樣品，提供 16 GB 容量，據說可提供高達 8.5 Gbps 的速度。
除了通過縮放節省功耗外，美光還聲稱他們的新 LPDDR5x 還通過實施 JEDEC 增強的動態電壓和頻率縮放來節省功耗。
根據美光的說法，他們設想其新型 1-beta DRAM 的應用包括移動和實時服務，例如自動駕駛汽車和數據中心。
繞過 EUV 制造
1-beta 節點的一個獨特方面是美光如何制造的？雖然大多數行業正在轉向用于節點縮放的極紫外 (EUV) 制造技術，但美光已經找到了一種在完全沒有 EUV 的情況下實現 1-beta 的方法。
相反，美光利用基于傳統光刻技術的專有納米制造技術。該技術包括先進的多圖案化和浸沒能力，以確?？梢砸詷O高的精度生產這些微小的特征。據美光稱，這種制造工藝已準備好進行大規模生產。
Thy Tran將美光的成就歸納為以下幾點。"每當我們似乎認為我們無法擠出另一個節點時，我們就會實現它。" 她說。"這確實很了不起。隨著每個節點、每個處理單元的出現，半導體行業幾十年來每年或兩年都在縮小器件尺寸。然而，隨著芯片越來越小，在晶圓上定義電路模式需要真正挑戰物理學定律。"
“對于美光來說，有志者事竟成。我們為我們的戰略感到自豪，即只在正確的時間部署 EUV，當經濟合理且性能合理時。因此，我們能夠進一步創新我們的多重圖案技術以避免 使用EUV。”
為了實現這一技術里程碑，Tran 表示，美光對關鍵層的工藝控制達到埃米級（1納米=10埃）。“這就是我們真正的意思，每一埃都很重要?！?nbsp;她說?！拔覀儾粌H要創新，讓一兩次的事情成為可能，我們還必須開發出可重復的、幾乎完美的流程，在大批量制造的 10 多個步驟中日復一日地進行?！?/span>
推動行業向前發展
通過避免對 EUV 的需求，美光證明了我們仍然可以從更傳統的制造過程中榨取更多的汁液。這不僅為 DRAM 擴展的未來提供了樂觀，無需外來新技術，而且還表明 DRAM 擴展的上限可能高于最初的預期。
據美光稱，一旦現有設備通過認證程序，新的1-beta節點將開始大規模生產。
