三星14納米EUV DDR5 DRAM正式量產
2021-10-12 22:02:10 三星電子
三星首款14納米DRAM
“通過開拓關鍵的圖案（key patterning）技術，三星活躍全球DRAM市場近三十年。”三星電子高級副總裁兼DRAM產品與技術主管Jooyoung Lee表示，“如今，三星正通過多層EUV技術，樹立了一座新的技術里程碑，實現了更加微型化的14納米工藝，而這也是傳統氟化氬（ArF）工藝無法做到的。在此基礎上，三星將繼續提供極具差異化的內存解決方案，充分滿足5G、人工智能和元宇宙等數據驅動的時代對更高性能和更大容量的需求。”
隨著DRAM工藝不斷縮小至10納米范圍，EUV技術變得越來越重要，因為它能提升圖案準確性，從而獲得更高性能和更大產量。通過在14納米DRAM中應用5個EUV層，三星實現了自身最高的單位容量，同時，整體晶圓生產率提升了約20%。此外，與上一代DRAM工藝相比，14納米工藝可幫助降低近20%的功耗。
根據最新DDR5標準，三星的14納米DRAM將有助于釋放出之前產品所未有的速度：高達7.2Gbps，比DDR4的3.2Gbps快兩倍多。
三星計劃擴展其14納米DDR5產品組合，以支持數據中心、超級計算機和企業服務器應用。另外，三星預計將其14納米DRAM芯片容量提升至24Gb，以更好滿足全球IT系統快速增長的數據需求。
關于三星
三星以創新理念和技術激勵世界，塑造未來。三星正重新定義電視、智能手機、可穿戴設備、平板電腦、數字家電、網絡系統以及內存、系統LSI、芯片代工和LED解決方案的世界。欲知最新消息，請訪問并關注三星半導體微信（三星半導體和顯示官方）和微博（三星半導體）平臺
*本文中的產品圖片以及型號、數據、功能、性能、規格參數等僅供參考，三星有可能對上述內容進行改進，具體信息請參照產品實物、產品說明書或三星官網（www.samsung.com/cn）。除非經特殊說明，本網站中所涉及的數據均為三星內部測試結果，涉及的對比均為與三星產品相比較。
