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日本開發出廉價可靠的EUV光源

2020-04-29 12:53:32 allaboutcircuits EETOP
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東京工業大學的科學家最近開發了一種極低密度的錫“氣泡”,這使得極紫外線的產生變得可靠而且便宜。

 

東京工業大學的技術團隊已經實現了這一目標,他們用聚電解質制成的聚合物電解質“肥皂泡”作為模板,用激光照射,這種聚合物電解質非常穩定,適合大規模生產。

一旦球體被輻射,研究小組就能夠證實發出了與金屬錫相同的13.5nm的極紫外(EUV)射線。研究小組認為,他們的新技術可以為先進半導體等電子產品的各種應用鋪平道路,作為一種可靠的EUV光源產生手段。

 

高強度激光器過去曾被用來產生EUV光,但是,事實證明,對于這些激光器而言,要保持對可產生EUV范圍內光的目標密度的控制是有挑戰性的。 

東京工業大學的團隊與都柏林大學學院的同事合作,致力于尋找可用于產生EUV光的激光靶,同時保持高效、可擴展和低成本。他們的錫涂層微膠囊 "氣泡 "技術是一種可高度控制的低密度結構。它由聚合物電解質組成,然后涂上錫納米顆粒。

適于制造半導體芯片

為了對該氣泡進行測試,研究小組用釹-YAG激光器對其進行照射。結果是產生了13.5納米范圍內的EUV光,研究小組還發現,該結構與制造半導體的傳統EUV光源兼容。

"克服了液態錫動力學的限制,在產生EUV光方面非常有利。"Keiji Nagai教授說。"定義良好的低密度錫靶可以支持多種材料,包括其形狀、孔隙大小和密度。"
 


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關鍵詞: EUV 光源 日本

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